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晶振技術(shù)支持
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  • 四個關(guān)鍵問題有助于確保你找到滿足的石英晶體振蕩器
    石英晶體振蕩器通常是設(shè)計者考慮的最后一個組件,但是錯誤的部分會很快扼殺設(shè)計.此外,搜索各種各樣的可用振蕩器及其能力可能會令人困惑.選擇振蕩器時,你應(yīng)該問自己四個關(guān)鍵問題.你找到的答案將有助于確保你的設(shè)計要求得到滿足.

    時間:2018-12-07   瀏覽:121

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  • 擴(kuò)頻Oscillator輻射能量對EMI高速系統(tǒng)造成一定干擾
    EMI是來自頻率源的輻射能量的測量值,通常以dBmV/m(分貝(volibelvolts)為單位測量在給定頻率下每米),對于更高的輻射能量,該參數(shù)更大,就這樣從振蕩器頻率源發(fā)出的能量越多,產(chǎn)生的電場和EMI就越大.定義時用于EMI測量的頻譜,人們想要區(qū)分峰值電磁排放和平均電磁輻射,平均發(fā)射定義為平均dBmV/m在給定頻譜上的水平,峰值發(fā)射定義為任何頻率下的最大dBmV/m電平在給定的頻譜上.

    時間:2018-11-22   瀏覽:284

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  • 臺灣泰藝XXGEGLNANF-25.000000晶振編碼

       X2GGGLNANF-12.000000晶振X3AEELNANF-40.000000臺灣泰藝晶振X3AEEJNANF-38.400000泰藝晶體諧振器XZDCELNANF-27.120000石英晶體XIHEELAANF-16.000000泰藝晶振XZABPCNANF-40.000000泰藝晶體諧振器XXDCCCNANF-12.000000晶振TXETACSANF-26.000000泰藝晶振OCETGLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELAANF-12.000000泰藝晶振XYHEECNANF-30.000000臺灣泰藝晶振X3AEELNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-10.000000臺灣OSC晶振TYKTBLSANF-19.200000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-8.000000泰藝晶振XXGEGLNANF-25.000000貼片晶振TYETCCSANF-50.000000有源晶振OYETGHJANF-66.667000泰藝晶振XJDECCAANF-4.194304泰藝晶振XSHGGLNANF-12.000000貼片晶振XSCEECNANF-8.000000石英晶振XYLEEJNANF-27.120000無源晶體X3AEELNANF-27.000000臺灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-133.000000有源晶振X2HCCCNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-16.000000石英晶振XSCEGCNANF-10.000000臺灣泰藝晶振XYABBCNANF-24.576000泰藝晶體諧振器X3AEELNANF-27.120000晶振XXDGHHPANF-20.000000臺灣泰藝晶振VTEUMLJANF-25.000000臺灣OSC晶振OYEUDCJANF-49.152000石英晶體振蕩器XXCBELNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-24.000000臺灣泰藝晶振XSCGGCNANF-24.576000無源晶體OXETDLJANF-50.000000有源晶振OXJTGLKTNF-125.000000泰藝晶振XIHEELAANF-4.000000泰藝晶振XXCGGINANF-18.432000無源晶體TYETACSANF-16.367667石英晶振OYEUDCJANF-45.158400臺灣OSC晶振XIHEELAANF-11.059200泰藝晶振XZABBCNANF-26.000000無源晶體XSDEECNANF-25.000000泰藝晶體諧振器XYAEECNANF-27.000000臺灣TAITIEN晶振X3AEELNANF-38.400000石英晶振XXGGGINANF-25.000000石英晶振TYETBCSANF-20.000000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-25.000000泰藝晶振

    臺灣泰藝XXGEGLNANF-25.000000晶振編碼

       XZAPPCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXBBBCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器TYKTACSANF-26.000000貼片晶振OXETGCJTNF-125.000000石英晶振XSDEELNANF-12.000000進(jìn)口貼片晶振XXHCCLNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-20.000000泰藝晶振OXETDLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELNANF-13.560000臺灣TAITIEN晶振XXCCCCNANF-12.000000貼片晶振X3AEELNANF-48.000000無源晶體XZBBBCNANF-26.000000臺灣TAITIEN晶振XSDEELNANF-25.000000晶振XXCGGLNANF-12.000000石英晶振XYIGGLNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XXGPPLNANF-20.000000晶振OXETGLJANF-50.000000石英晶體振蕩器OTETGCLTNF-156.250000有源晶振XIHEELAANF-7.372800泰藝晶振XZBBCCNANF-26.000000晶振XSDEGCNANF-16.000000貼片晶振XXGDDCNANF-25.000000臺灣泰藝晶振XYCBBCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXEBCLNANF-40.000000貼片晶振XZBCCCNANF-16.000000貼片晶振XSFGGLNANF-20.000000石英晶振XXGEHHNANF-24.000000無源晶體XYCBBCNANF-26.000000臺灣TAITIEN晶振X3AEEJNANF-27.000000石英晶振OYETGCJANF-24.000000石英晶振TYKACCSANF-26.000000臺灣OSC晶振OXKTGLJANF-19.200000有源晶振XZCBBCNANF-16.000000石英晶振XSGEECNANF-16.000000臺灣泰藝晶振XXHEELNANF-12.000000泰藝石英晶體諧振器XYCCCCNANF-19.200000晶振XYAEECNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振X3AEELNANF-30.000000貼片晶振X3AEEJNANF-27.120000臺灣泰藝晶振OYETGCJANF-25.000000貼片晶振TYKACCSANF-40.000000石英晶振OCETDLJANF-25.000000石英晶體振蕩器XZCBBCNANF-32.000000臺灣泰藝晶振XSGEELNANF-25.000000無源晶體XXPEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XYCEECNANF-27.120000貼片晶振X3AEEJNANF-30.000000無源晶體OYETGCJANF-27.000000晶振TXEAACSANF-40.000000貼片晶振OCETGLJTNF-125.000000臺灣OSC晶振XZCEECNANF-27.120000無源晶體XSGEGLNANF-13.000000泰藝晶體諧振器XZGEECNANF-24.000000臺灣TAITIEN晶振XYCEECNANF-32.000000石英晶振XZCEECAANF-27.120000石英晶體XZLEFLNANF-30.000000臺灣TAITIEN晶振XXBBBCNANF-26.000000臺灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-106.250000石英晶振XZDBPCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XSHEECNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振XZHBBCNANF-32.000000晶振XZDCELNANF-30.000000石英晶體XXHCECAANF-26.690000石英晶體XZIEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XSHEELNANF-25.000000臺灣TAITIEN晶振XSHGGLNANF-11.059200晶振XZLCCCNANF-30.000000貼片晶振

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  • 403I35D16M38400美國CTS晶振編碼
    403C11A32M00000無源3225貼片晶振403C35E48M00000進(jìn)口石英晶振403C11B24M00000西迪斯晶振 403C35D25M00000美國晶振403C35L25M00000貼片晶振403C11B26M00000金屬面石英晶振 403C35D12M00000進(jìn)口石英晶振403CXXK32M00000進(jìn)口3225晶振403C11B32M00000美國CTS晶振 403C35D24M00000貼片晶振403I35D13M00000美國SMD晶振403C11J12M00000無源3225貼片晶振 403C35E13M00000進(jìn)口3225晶振403I35D14M31818西迪斯晶振403C11J13M00000美國晶振 403C35E27M00000美國SMD晶振403I35D16M38400金屬面石英晶振403C11J14M40000進(jìn)口石英晶振 403C11A16M00000西迪斯晶振403I35D19M66080美國CTS晶振403C11J16M00000貼片晶振 403C11A24M00000金屬面石英晶振403I35D22M11840無源3225貼片晶振403C11J19M68000進(jìn)口3225晶振 403C11A16M80000美國CTS晶振403I35D24M57600美國晶振403C35D13M00000美國SMD晶振 403C35D22M11840無源3225貼片晶振403I35D28M37500歐美進(jìn)口石英晶振403C35D14M31818西迪斯晶振 403C35D28M37500美國晶振403I35D28M63636貼片晶振403C35D16M38400金屬面石英晶振 403C35D28M63636進(jìn)口石英晶振403I35D29M49120進(jìn)口3225晶振403C35D19M66080美國CTS晶振 403C35E12M00000貼片晶振403I35D32M00000美國SMD晶振403C35D24M57600無源3225貼片晶振 403C23E26M69000進(jìn)口3225晶振403I35D33M00000西迪斯晶振403C35D26M00000美國晶振 403C35E16M00000美國SMD晶振403I35D36M00000金屬面石英晶振403C35D29M49120進(jìn)口石英晶振 403C11A12M00000西迪斯晶振403I35D40M00000美國CTS晶振403C35D32M00000貼片晶振 403I35D12M00000金屬面石英晶振403I35D44M00000無源3225貼片晶振403C35D33M00000進(jìn)口3225晶振 403I35D16M00000美國CTS晶振403I35D48M00000美國晶振403C35D36M00000美國SMD晶振 403I35D24M00000無源3225貼片晶振403I35E12M00000進(jìn)口石英晶振403C35D44M00000西迪斯晶振 403I35D30M00000美國晶振403I35E13M00000貼片晶振403C35E14M31818金屬面石英晶振 403I35E16M00000進(jìn)口石英晶振403I35E14M31818進(jìn)口3225晶振403C35E16M38400美國CTS晶振 403I35E26M00000貼片晶振403I35E16M38400美國SMD晶振403C35E18M43200無源3225貼片晶振 403C11E32M00000進(jìn)口3225晶振403I35E18M43200西迪斯晶振403C35E19M66080美國晶振 403C35D27M00000美國SMD晶振403I35E19M66080金屬面石英晶振403C35E28M37500進(jìn)口石英晶振 403C35E26M00000西迪斯晶振403I35E22M11840美國CTS晶振403C35E29M49120貼片晶振 403C35D48M00000金屬面石英晶振403I35E24M00000無源3225貼片晶振403C35E33M00000進(jìn)口3225晶振 403C35D20M00000美國CTS晶振403I35E24M57600美國晶振403C35E36M00000美國SMD晶振 403C11E16M00000無源3225貼片晶振403I35E25M00000進(jìn)口石英晶振403C35E40M00000西迪斯晶振 403C11A40M00000美國晶振403I35E27M00000貼片晶振403C35S30M00000金屬面石英晶振 403C35D30M00000進(jìn)口石英晶振403I35E28M37500進(jìn)口3225晶振403C35S32M00000美國CTS晶振 403C11A20M00000貼片晶振403I35E28M63636美國SMD晶振403C11J24M00000無源3225貼片晶振 403I35D27M00000進(jìn)口3225晶振403I35E29M49120西迪斯晶振403C33L25M00000進(jìn)口晶振403I35D18M43200美國SMD晶振403I35E30M00000金屬面石英晶振403C35A12M00000進(jìn)口石英晶振 403I35D20M00000西迪斯晶振403I35E32M00000美國CTS晶振403C35A16M00000貼片晶振 403I35E20M00000金屬面石英晶振403I35E33M00000無源3225貼片晶振403C35E20M00000進(jìn)口3225晶振 403C11A13M00000美國CTS晶振403I35E36M00000美國晶振403C35E24M00000美國SMD晶振 403C35D16M00000無源3225貼片晶振403I35E40M00000進(jìn)口石英晶振403C35E24M57600西迪斯晶振 403C11A26M00000美國晶振403I35E44M00000貼片晶振403C35E25M00000金屬面石英晶振403C11A14M74560進(jìn)口石英晶振403I35E48M00000進(jìn)口3225晶振403C35E28M63636美國CTS晶振 403I35D26M00000貼片晶振403I35S30M00000美國SMD晶振403C35E30M00000無源3225貼片晶振 403I35D25M00000進(jìn)口3225晶振403I35S32M00000西迪斯晶振403C35E44M00000美國晶振 403C35D40M00000美國SMD晶振403I23A27M00000金屬面石英晶振403I35A40M00000美國SMD晶振 403C11A14M40000西迪斯晶振403I23D25M00000美國CTS晶振403I35B40M00000西迪斯晶振 403C11A16M38400金屬面石英晶振403I33D12M00000無源3225貼片晶振403I35L40M00000金屬面石英晶振 403C11A19M20000美國CTS晶振403I33E25M00000美國晶振403C11A24M57600進(jìn)口石英晶振 403C11A19M68000無源3225貼片晶振403I33L40M00000進(jìn)口石英晶振403C11A27M00000貼片晶振 403C11A24M55350美國晶振403I35A24M00000貼片晶振403C11A30M00000進(jìn)口3225晶振 403I35A25M00000進(jìn)口3225晶振403C11A36M00000美國SMD晶體

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    epson

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    SG-8003CE

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  • IDT石英有源晶體代碼
    FXO-HC735-40.96進(jìn)口晶振FXO-HC335-63艾迪悌晶振 FXO-HC735-39進(jìn)口IDT晶振FXO-HC530-74.25有源晶體FXO-HC735-38.785316美國IDT晶振FXO-HC530R-66.67晶振 FXO-HC735-36.864有源晶體FXO-HC530R-66.666石英晶體振蕩器 FXO-HC735-36.571428晶振FXO-HC530R-64歐美晶振 FXO-HC735-36石英晶體振蕩器FXO-HC530R-60有源晶振 FXO-HC735-35.46895歐美晶振FXO-HC535-67.25美國晶振 FXO-HC735-35.328有源晶振FXO-HC535-66.67壓電石英振蕩子 FXO-HC735-34美國晶振FXO-HC535-66.6667貼片有源晶振 FXO-HC735-33.3333壓電石英振蕩子FXO-HC535-66.66石英晶振 FXO-HC735-33.32貼片有源晶振FXO-HC535-66.5美國進(jìn)口晶振 FXO-HC735-33.3石英晶振FXO-HC535-66貼片晶振 FXO-HC735-29.5美國進(jìn)口晶振FXO-HC535-62.5進(jìn)口晶振 FXO-HC735-29.498928貼片晶振FXO-HC535-61.25進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC735-29.4912進(jìn)口晶振FXO-HC535-60艾迪悌晶振 FXO-HC735-29.491進(jìn)口IDT晶振FXO-HC730-78.25有源晶體 FXO-HC735-28.636363艾迪悌晶振FXO-HC730-78晶振 FXO-HC735-28.6363有源晶體FXO-HC730-75石英晶體振蕩器 FXO-HC735-28.5晶振FXO-HC730-74.92歐美晶振 FXO-HC735-28.339石英晶體振蕩器FXO-HC730-74.25有源晶振 FXO-HC735-28歐美晶振FXO-HC730-73美國晶振 FXO-HC735-27.25有源晶振FXO-HC730-72壓電石英振蕩子 FXO-HC735-27.12美國晶振FXO-HC730-70貼片有源晶振 FXO-HC735-26.66壓電石英振蕩子FXO-HC730R-66.667石英晶振 FXO-HC735-26.6貼片有源晶振FXO-HC730R-66.6667美國進(jìn)口晶振 FXO-HC735-26石英晶振FXO-HC730R-66.66666貼片晶振 FXO-HC735-25.175美國進(jìn)口晶振FXO-HC730R-66.66進(jìn)口晶振FXO-HC735-25.1644貼片晶振FXO-HC730R-65.536進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC735-25.152進(jìn)口晶振FXO-HC730R-65艾迪悌晶振 FXO-HC735-25.00125進(jìn)口IDT晶振FXO-HC730R-64有源晶體 FXO-HC735-25.000625艾迪悌晶振FXO-HC730R-63.7晶振 FXO-HC735-24.5454有源晶體FXO-HC735-68石英晶體振蕩器 FXO-HC735-24.545晶振FXO-HC735-66.6667歐美晶振 FXO-HC735-24.5石英晶體振蕩器FXO-HC735-66.6666有源晶振 FXO-HC735-24.035歐美晶振FXO-HC735-66.5美國晶振 FXO-HC735-23.92有源晶振FXO-HC735-65.653壓電石英振蕩子 FXO-HC735-22.8美國晶振FXO-HC735-65.5361貼片有源晶振 FXO-HC735-22.1184壓電石英振蕩子FXO-HC735-64.22石英晶振 FXO-HC735-20.6貼片有源晶振FXO-HC735-64美國進(jìn)口晶振 FXO-HC735-20.48石英晶振FXO-HC735-62.496875貼片晶振FXO-HC735-20.15411美國進(jìn)口晶振FXO-HC735-62.208進(jìn)口晶振 FXO-HC735-20.0025貼片晶振FXO-HC320R-50進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC735-19.9975進(jìn)口晶振FXO-HC320R-1艾迪悌晶振 FXO-HC735-19.934進(jìn)口IDT晶振FXO-HC325-33.333有源晶體 FXO-HC735-19.8艾迪悌晶振FXO-HC325-30晶振 FXO-HC735-19.6608有源晶體FXO-HC325-1.8432石英晶體振蕩器 FXO-HC735-19.44晶振FXO-HC335R-43歐美晶振 FXO-HC735-19.284石英晶體振蕩器FXO-HC335R-33.3333有源晶振 FXO-HC735-19.2歐美晶振FXO-HC335R-22美國晶振 FXO-HC735-19.16928有源晶振FXO-HC335R-16.5壓電石英振蕩子 FXO-HC735-17.734475美國晶振FXO-HC335R-7.3728貼片有源晶振 FXO-HC735-17.73447壓電石英振蕩子FXO-HC335R-4.9152石英晶振 FXO-HC735-16.7384貼片有源晶振FXO-HC335R-3.6864美國進(jìn)口晶振 FXO-HC735-16.667石英晶振FXO-HC520R-50貼片晶振 FXO-HC735-16.6667美國進(jìn)口晶振FXO-HC520R-2進(jìn)口晶振 FXO-HC735-16.512貼片晶振FXO-HC525-50進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC735-16.0028進(jìn)口晶振FXO-HC525-42.5艾迪悌晶振 FXO-HC735-15.624進(jìn)口IDT晶振FXO-HC525-42有源晶體 FXO-HC735-15艾迪悌晶振FXO-HC525-33.33晶振 FXO-HC735-13有源晶體FXO-HC525-6.144石英晶體振蕩器 FXO-HC735-12.98晶振FXO-HC525-1.8432歐美晶振 FXO-HC735-12.9024石英晶體振蕩器FXO-HC535R-50.625有源晶振 FXO-HC735-12.8歐美晶振FXO-HC535R-45美國晶振 FXO-HC735-12.7455有源晶振FXO-HC535R-42.5壓電石英振蕩子 FXO-HC735-12.375美國晶振FXO-HC535R-40.5504貼片有源晶振 FXO-HC735-11.0592壓電石英振蕩子FXO-HC535R-39.2832石英晶振 FXO-HC735-11.059貼片有源晶振FXO-HC535R-36.864美國進(jìn)口晶振 FXO-HC735-10.7石英晶振FXO-HC535R-35.328貼片晶振 FXO-HC735-10.14美國進(jìn)口晶振FXO-HC535R-29.5進(jìn)口晶振 FXO-HC735-9.984貼片晶振FXO-HC535R-29.4912進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC735-8.192進(jìn)口晶振FXO-HC535R-26.4艾迪悌晶振 FXO-HC735-7.87進(jìn)口IDT晶振FXO-HC535R-22.1184有源晶體 FXO-HC735-7.68艾迪悌晶振FXO-HC535R-19.84375晶振 FXO-HC735-7.372有源晶體FXO-HC535R-17.734454石英晶體振蕩器 FXO-HC735-6.14晶振FXO-HC535R-16.666歐美晶振 FXO-HC735-6石英晶體振蕩器FXO-HC535R-14.7456有源晶振 FXO-HC735-4.9152歐美晶振FXO-HC535R-14.31818美國晶振 FXO-HC735-3.58有源晶振FXO-HC535R-12.288壓電石英振蕩子 FXO-HC735-3.57954美國晶振FXO-HC535R-11.0592貼片有源晶振 FXO-HC735-3.088壓電石英振蕩子FXO-HC535R-5石英晶振 FXO-HC735-3.072貼片有源晶振FXO-HC535R-3.6864美國進(jìn)口晶振 FXO-HC735-1.828石英晶振FXO-HC535R-3.579545貼片晶振 FXO-HC735-1.205888美國進(jìn)口晶振FXO-HC535R-1.024進(jìn)口晶振 FXO-HC320-1.8貼片晶振FXO-HC535R-1進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC320-1.088進(jìn)口晶振FXO-HC720-66艾迪悌晶振 FXO-HC520-10進(jìn)口IDT晶振FXO-HC720R-50有源晶體 FXO-HC720-37.5艾迪悌晶振FXO-HC720R-30晶振 FXO-HC720-33有源晶體FXO-HC720R-25石英晶體振蕩器 FXO-HC720-25晶振FXO-HC720R-16歐美晶振 FXO-HC720-24石英晶體振蕩器FXO-HC720R-2有源晶振 FXO-HC720-20歐美晶振FXO-HC725-50美國晶振FXO-HC720-12.345678有源晶振FXO-HC725-44.2368壓電石英振蕩子 FXO-HC720-12美國晶振FXO-HC725-33.33貼片有源晶振 FXO-HC720-2壓電石英振蕩子FXO-HC725-33石英晶振 FXO-HC330R-62.5貼片有源晶振FXO-HC725-30美國進(jìn)口晶振 FXO-HC335-68石英晶振FXO-HC725-25.145貼片晶振 FXO-HC335-67.3美國進(jìn)口晶振FXO-HC725-25.00125進(jìn)口晶振 FXO-HC335-66.666貼片晶振FXO-HC735R-59.9749進(jìn)口IDT晶振 FXO-HC335-66.6進(jìn)口晶振FXO-HC735R-59.9416艾迪悌晶振 FXO-HC335-65進(jìn)口IDT晶振FXO-HC735R-59.40706有源晶體.

    時間:2018-11-13   瀏覽:134

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  • 客觀分析QuartzCrystal頻率源的抖動和信號噪聲類別
    抖動導(dǎo)致晶振系統(tǒng)中斷網(wǎng)絡(luò)元件中的時鐘恢復(fù)機(jī)制用于對數(shù)字信號進(jìn)行采樣使用恢復(fù)的位時鐘,如果數(shù)字信號和時鐘具有相同的抖動,則恒定抖動誤差不會影響采樣瞬間,因此不會出現(xiàn)誤碼,(搜索案例將應(yīng)用于時鐘機(jī)制時鐘的低頻抖動遵循數(shù)字信號相位變化,在更高頻率的抖動變化,0.5UI,想要導(dǎo)致采樣不準(zhǔn)確并丟失有價值的數(shù)據(jù)).

    時間:2018-11-12   瀏覽:298

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  • 低損耗石英諧振器使用聲子晶體減少錨固損失
    聲子晶體用于捕獲聲能和減少AT切割石英的錨固損失諧振器,與有限差分和邊界相比元素方法,有限元方法是最多的常用技術(shù),尤其適用于聲學(xué)設(shè)備建模因?yàn)樗亩喙δ苄?/span>,因此,石英的3D模型諧振器是使用有限元軟件開發(fā)的COMSOL驅(qū)動輸出,AT切割石英的有限元分析具有聲子晶體和有損環(huán)氧樹脂的共振器提供了圖1中所示的附件,AT切割石英諧振器的共振響應(yīng)沒有首先計算出聲子晶體,方格子聲波晶體板由AT切割石英板制成,帶有空氣孔,分析和設(shè)計具有完整的帶隙覆蓋石英諧振器的共振頻率,最后,石英諧振器的模式形狀和阻抗模擬三行聲子晶體來評價聲子晶體的隔離性能.

    時間:2018-11-10   瀏覽:479

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  • 大河晶振發(fā)布新開發(fā)的32.768 kHz晶體時鐘振蕩器

    大河晶振開發(fā)了新產(chǎn)品石英晶體振蕩器,"FCXO-05D"2520尺寸),"FCXO-06D"2016尺寸)和"FCXO-07D"1612尺寸:世界上最小的晶體振蕩器).這些新的32.768 kHz時鐘振蕩器不能僅在與典型音叉晶體振蕩器相媲美的超低電流消耗下工作,但在寬溫度范圍內(nèi)具有比音叉晶體振蕩器更好的頻率溫度特性.

    時間:2018-11-09   瀏覽:220

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