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以當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展形勢(shì)來(lái)看,未來(lái)向高性能,高度集成,小體積方向發(fā)展是必然的,如此一來(lái),對(duì)石英晶振行業(yè)就相當(dāng)于提出了新的需求,所以現(xiàn)在許多石英晶體廠家都在致力于研發(fā)小尺寸,高精度,低衰減,低相噪,高穩(wěn)定的晶振生產(chǎn)技術(shù);就在近日村田晶振公司就推出了一款用于Wi-Fi設(shè)備小型2016尺寸晶體諧振器.

隨著"LTE"的普及,"毫微微小區(qū)"的重要性會(huì)增加."毫微微小區(qū)"是指在非常狹小的區(qū)域使用的基站.為了保持高速數(shù)據(jù)通信,基站區(qū)域內(nèi)的利用用戶數(shù)量不得超過(guò)一定數(shù)量.在市中心等單位面積的便攜式終端利用用戶數(shù)密度高的地區(qū),通過(guò)更加細(xì)致地分割通信區(qū)域,可以實(shí)現(xiàn)舒適的數(shù)據(jù)通信環(huán)境.并且,通信區(qū)域的細(xì)分化對(duì)消除因電波故障導(dǎo)致的無(wú)法連接區(qū)域也有效.具有比傳統(tǒng)微小區(qū)基站更精細(xì)的通信區(qū)域分配的"毫微微小區(qū)"基站被認(rèn)為是有前景的.一般關(guān)于網(wǎng)絡(luò)基站中采用的都是比較高性能高要求的晶振,如差分晶振.

日本是世界上屈指可數(shù)的能夠接受便宜且高度醫(yī)療產(chǎn)品晶振的醫(yī)療先進(jìn)國(guó)家.但是近年來(lái),醫(yī)療的環(huán)境隨著少兒老齡化的發(fā)展和醫(yī)療技術(shù)的高度化等發(fā)生了很大變化.在這樣的情況下,希望提高醫(yī)療服務(wù)質(zhì)量的同時(shí),增加醫(yī)療服務(wù)質(zhì)量的使用者的聲音很強(qiáng)烈,另一方面,醫(yī)療從業(yè)者方面對(duì)嚴(yán)峻的工作環(huán)境要求改善.要求改革確保國(guó)民對(duì)醫(yī)療的安心,使將來(lái)能夠享受高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)的醫(yī)療制度.

OCXO晶振提供了時(shí)序性能的巔峰.很少有時(shí)間供應(yīng)商能夠達(dá)到OCXO級(jí)穩(wěn)定性,即大約±50ppb(十億分之一)或更高.由于OCXO提供Stratum3E*級(jí)時(shí)序穩(wěn)定性,因此它們用于高吞吐量通信網(wǎng)絡(luò),每個(gè)新一代都需要更嚴(yán)格的時(shí)序性能.展望未來(lái),OCXO對(duì)于支持自動(dòng)駕駛汽車等關(guān)鍵任務(wù)服務(wù)的新興5G和IEEE1588同步應(yīng)用至關(guān)重要.高精度振蕩器被設(shè)計(jì)成保持在溫度變化頻率,其主要理由穩(wěn)定性中的一個(gè)降低,通過(guò)用溫度補(bǔ)償電路和加熱元件沿著包圍諧振器.但即使這些"烤箱"設(shè)備設(shè)計(jì)為保持內(nèi)部溫度恒定,傳統(tǒng)的OCXO仍然容易受到環(huán)境溫度變化的影響,特別是當(dāng)溫度變化很快時(shí).

很快,汽車將擁有自己的超級(jí)計(jì)算機(jī).并且這些時(shí)鐘提供了這些系統(tǒng)的心跳,汽車將需要超過(guò)70個(gè)計(jì)時(shí)設(shè)備.雖然今天的汽車依賴于GPS和備用攝像頭等SITIME晶振的計(jì)時(shí)設(shè)備,但自動(dòng)駕駛汽車需要更精確的計(jì)時(shí).他們必須把時(shí)間保持在十億分之一秒！基于微機(jī)電系統(tǒng)的時(shí)序解決方案提供任意頻率,更寬的溫度范圍,更高的頻率穩(wěn)定性,更好的封裝選項(xiàng)的晶振元件,可編程電磁干擾降低特性,高質(zhì)量和可靠性以及較短的提前期.最重要的是,SiTime的微機(jī)電系統(tǒng)振蕩器能夠承受惡劣汽車環(huán)境中出現(xiàn)的振動(dòng),電噪聲,快速氣流和溫度瞬變,同時(shí)性能穩(wěn)定且符合規(guī)格.

Silicon Labs新的Si54x超系列XO系列為設(shè)計(jì)人員提供了更高的性能,可靠性和高要求時(shí)序應(yīng)用的安心感并推出了一系列新的高性能石英晶體振蕩器(XOs),提供業(yè)界最低抖動(dòng)頻率的靈活解決方案.Si54xUltra系列XOs可在整個(gè)工作范圍內(nèi)為整數(shù)和小數(shù)頻率提供低至80飛秒的超低抖動(dòng)性能.這些XO為要求苛刻的應(yīng)用(包括100G/200G/400G線路卡和光學(xué)模塊,超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心,寬帶,無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施,廣播視頻,工業(yè),測(cè)試和測(cè)量以及軍事/航空航天)

晶振里面的RF參數(shù)是Radio Frequency的縮寫,表示可以輻射到空間的電磁頻率,頻率范圍從300kHz～300GHz之間.射頻就是射頻電流,簡(jiǎn)稱RF,它是一種高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱.每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流,大于10000次的稱為高頻電流,而射頻就是這樣一種高頻電流.射頻(300K-300G)是高頻(大于10K)的較高頻段,微波頻段(300M-300G)又是射頻的較高頻段.

在穩(wěn)定性,可靠性,穩(wěn)健性以及低相位噪聲和抖動(dòng)方面具有優(yōu)勢(shì),微機(jī)電系統(tǒng)MEMS晶振正在進(jìn)軍汽車和電信等應(yīng)用領(lǐng)域,這些應(yīng)用需要提高定時(shí)性能和高性能可承受極端環(huán)境條件的可靠性部件.其中一個(gè)例子是MicrochipTechnologyInc.的DSA系列,該系列于今年早些時(shí)候首次亮相,是業(yè)界首款汽車級(jí)多輸出MEMS振蕩器."技術(shù)進(jìn)步和現(xiàn)代車輛中復(fù)雜電子系統(tǒng)的日益普及需要卓越的時(shí)序性能和可靠性,"Microchip表示."對(duì)于確保在當(dāng)今高度先進(jìn)的汽車系統(tǒng)中精確操作,時(shí)序精度,精度和對(duì)惡劣環(huán)境的耐受性至關(guān)重要."

在高性能市場(chǎng)中,頻率控制制造商也在改進(jìn)其恒溫晶體振蕩器(OCXO),壓控晶體振蕩器(VCXO)和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)的產(chǎn)品陣容.極端的環(huán)境條件.為了滿足這些要求,SiliconLabs的產(chǎn)品組合現(xiàn)在包括提供頻率靈活性和低抖動(dòng)的Si539x時(shí)鐘以及Si56XUltra系列石英晶體振蕩器(XO)和VCXO.EcliptekLLC還提供卓越的RMS相位抖動(dòng)和相位噪聲性能,提供多電壓石英晶體振蕩器,占地面積小,尺寸為2.5×3.2mm(帶有四個(gè)焊盤).該器件的穩(wěn)定性低至±20ppm,工作溫度范圍為-40°C至85°C.

恒溫晶體振蕩器(OCXO)市場(chǎng)報(bào)告根據(jù)烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)行業(yè)中的領(lǐng)先部分(如類型,地區(qū),應(yīng)用,技術(shù)和精英參與者),包含重要的銷售和收入統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù).該報(bào)告針對(duì)歷史(2014-2019年)事件,關(guān)于行業(yè)現(xiàn)狀的討論,并提供截至2024年的有價(jià)值的預(yù)測(cè)信息.全面分析當(dāng)代趨勢(shì),需求譜,增長(zhǎng)率和關(guān)鍵區(qū)域烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)的市場(chǎng)探索也體現(xiàn)在本報(bào)告中.領(lǐng)先的主要晶振有-NDK晶振,Epson晶振,Vectron晶振,Microcrystal晶振,Rakon晶振,BlileyTechnologies晶振,KDS晶振,Taitien晶振,CTS晶振,GreenrayIndustries晶振,NEL晶振,IDT晶振,Abracon晶振,KVG晶振.

石英晶振的末端是否接近?可能不是.然而,隨著新的集成體聲波(BAW)器件的出現(xiàn),晶體將在許多時(shí)鐘和定時(shí)電路中被替換.鑒于大多數(shù)工程師必須在某些時(shí)候處理或處理時(shí)鐘和定時(shí)電路,因此您應(yīng)該考慮這一點(diǎn).BAW是一種與石英晶體不同的小結(jié)構(gòu).它由兩塊金屬板或薄膜之間的超薄壓電薄膜組成(圖1).當(dāng)被電壓激發(fā)時(shí),器件以特定頻率振蕩,如晶振.頻率取決于壓電薄膜的厚度.

       ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動(dòng)晶振ECS-1633-192-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動(dòng)晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無(wú)源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無(wú)源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振

      ECX-P33BN-200.000美國(guó)伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動(dòng)晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國(guó)ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無(wú)源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動(dòng)晶振ECS-2033-240-AU美國(guó)伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無(wú)源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動(dòng)晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動(dòng)晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無(wú)源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振