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晶體僅在最終應(yīng)用中提供頻率選擇元件。有外部并且需要增益級(jí)來實(shí)現(xiàn)最終所需的時(shí)鐘信號(hào)。這個(gè)晶體頻率范圍通常被認(rèn)為小于160MHz。這個(gè)頻率以上的晶體需要復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)，調(diào)諧困難，需要專門的高頻晶體。

需要提供CMOS或BJT增益級(jí)，有許多可接受的配置。這個(gè)該級(jí)的輸入和輸出阻抗會(huì)影響電路Q。放大器噪聲水平會(huì)影響這兩者相位噪聲和抖動(dòng)。該級(jí)如何在有源增益區(qū)偏置對(duì)振蕩器至關(guān)重要啟動(dòng)。此外，該階段的帶寬會(huì)影響啟動(dòng)特性。如果振蕩器電路為了在泛音上操作晶體，放大器中需要一個(gè)頻率選擇裝置電路，以確保電路在所需的晶體泛音處僅具有所需的增益和相移。
振蕩器電路在晶體諧振時(shí)產(chǎn)生交流電流。此交流電流或驅(qū)動(dòng)器液位必須低于臨界值，否則晶體可能會(huì)損壞。過大的電流會(huì)導(dǎo)致晶體運(yùn)動(dòng)超過彈性極限而斷裂。XY切割（音叉）32.768KHz手表晶體必須限制在約5µA或更小，否則晶體的尖端將斷裂。
>1MHz的SMD無源晶體通常是AT切割晶體。這些設(shè)備可以容忍較寬的驅(qū)動(dòng)器級(jí)別范圍在達(dá)到毫瓦驅(qū)動(dòng)水平之前，不會(huì)發(fā)生斷裂。增加的老化可能發(fā)生在更高的µW驅(qū)動(dòng)范圍。過度驅(qū)動(dòng)晶體會(huì)激發(fā)不想要的振動(dòng)模式。這些可以導(dǎo)致在不同的狹窄溫度范圍內(nèi)出現(xiàn)嚴(yán)重的頻率跳躍。
在大多數(shù)情況下，晶體在無功負(fù)載下運(yùn)行。這樣可以調(diào)整最終最終應(yīng)用中的頻率。這通常需要校正頻率變化與水晶的時(shí)間。CLOAD值決定了頻率與負(fù)載電容的靈敏度。AT切割晶體對(duì)于低值可以具有30ppm/pF的靈敏度。使用更高的負(fù)載值電容降低了靈敏度，但增加了振蕩啟動(dòng)的難度。CLOAD溫度特性可以改變振蕩器的頻率對(duì)溫度的響應(yīng)。
晶體的頻率響應(yīng)由晶體穿過原子的切口決定石英晶體的平面。這導(dǎo)致了穩(wěn)定且可重復(fù)的溫度響應(yīng)。這個(gè)曲線圖顯示了AT切割晶體的不同切割的頻率-溫度響應(yīng)。每個(gè)曲線有2分鐘的弧度不同。

每條曲線是通過石英晶體的原子平面的切割的2分鐘弧的變化。

晶體有許多參數(shù)需要指定，以確保接收到符合最終應(yīng)用程序要求。
•頻率
•校準(zhǔn)，設(shè)定點(diǎn)為25°C

•CLOAD
•穩(wěn)定性，頻率與25°C溫度的關(guān)系
•工作溫度范圍
•Cl的最大ESR，晶體諧振電阻
•C0范圍，引腳間電容
•LMOTIONAL或CMOTIONAL，設(shè)置晶體的拉出能力
•驅(qū)動(dòng)級(jí)別
•頻率和電阻的驅(qū)動(dòng)電平依賴性（DLD）
•老化
•絕緣電阻
還有其他規(guī)范，如每°C允許的最大頻率變化，或平滑曲線允許的最大響應(yīng)（擾動(dòng)控制）。

進(jìn)貨檢驗(yàn)或測(cè)試需要專用設(shè)備：
•晶體阻抗計(jì)（CI計(jì)）
•具有特殊測(cè)試夾具和軟件的網(wǎng)絡(luò)分析儀
電路板布局對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能至關(guān)重要。以下是一些注意事項(xiàng)：
•導(dǎo)線長(zhǎng)度必須盡可能短。
•晶體引線阻抗高，對(duì)噪聲非常敏感。
•電容器和晶體封裝的接地節(jié)點(diǎn)不得涉及循環(huán)噪聲源的電流。
•如果引線上的泄漏路徑低于500K歐姆，這可能會(huì)影響振蕩器的啟動(dòng)并且還將使頻率偏移多達(dá)幾個(gè)ppm。