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高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬級車間生產(chǎn)，并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬級車間生產(chǎn)，并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬級車間生產(chǎn)，并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬級車間生產(chǎn)，并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
卡迪納爾超低成本的時鐘振蕩器，Cardinal是一家專注于研發(fā)設(shè)計高質(zhì)量元器件的供應(yīng)商，通過不斷打磨自身的有源石英晶振產(chǎn)品，并因此贏得廣大用戶的追棒，隨著電子行業(yè)的快速發(fā)展，迎來更多機會的同時，也有大量的需求無法被滿足，Cardinal公司利用自身的資源，不斷挖掘市場的需求，并針對性提供完美的解決方案。
Cardinal Components Inc，Inc .致力于通過提高產(chǎn)量、降低成本、提高客戶滿意度以及滿足員工對培訓(xùn)、安全和士氣的期望來持續(xù)提高質(zhì)量。
高速串行總線體系結(jié)構(gòu)是今天的高性能設(shè)計。While并聯(lián)總線標(biāo)準(zhǔn)正在發(fā)生一些變化，串行總線跨多個市場和設(shè)備建立電腦、手機、娛樂系統(tǒng)，以及更多串行總線具有性能優(yōu)勢電路和電路板布局。串行數(shù)據(jù)鏈路的行為就像當(dāng)他們從一個在處理系統(tǒng)中指向另一個。確保準(zhǔn)確的交付和接收，數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)系統(tǒng)由時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)（CDR）管理電路，然后在數(shù)據(jù)系統(tǒng)。準(zhǔn)確收據(jù)的關(guān)鍵對數(shù)據(jù)的解釋特別與了解有關(guān)精確地說，時鐘邊沿在任何時間點的“位置”。
由于發(fā)射和接收設(shè)備可以任何地方——從同一個桌面到另一邊世界上每一個不同的地方都有影響可能影響時鐘運行方式的位置或環(huán)境從發(fā)送數(shù)據(jù)到時間a的邊緣漂移設(shè)備接收并解釋數(shù)據(jù)。這些影響是多方面的，并且包括溫度，物理運動/振動，甚至?xí)r鐘信號源的體系結(jié)構(gòu)。結(jié)果要么有準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，要么沒有，以及“不”顯然在任何系統(tǒng)中都不是一個選項。對于最終用戶——這可能意味著體驗質(zhì)量差，并干擾互聯(lián)網(wǎng)會話和相關(guān)內(nèi)容服務(wù)（語音質(zhì)量差，觀看不均衡視頻內(nèi)容或損壞的數(shù)據(jù)文件的體驗內(nèi)容）。作為時鐘邊沿與它被預(yù)期的位置被稱為“抖動”。有its中通常使用的抖動的三個量化測量：
這可以被視為“精細(xì)焦點”測量這通常被稱為“絕對抖動”時鐘邊緣的位置與它的理想位置——通常由使用
網(wǎng)絡(luò)分析儀（圖A）；
峰值抖動和峰峰值抖動 這可以被認(rèn)為是“粗糙的” 測量和被分解成兩部分特點:
周期抖動（又名周期抖動）任意一個時鐘周期之間的差異以及理想或平均時鐘周期——通常通過測量顯示示波器的信號周期（圖B） ，和循環(huán)到循環(huán)抖動--任意兩個相鄰時鐘周期的持續(xù)時間。它對于某些類型的時鐘來說可能很重要微處理器中使用的生成電路和RAM接口，并用示波器（圖C）
抖動性能/規(guī)格限制由ITU-T等標(biāo)準(zhǔn)化機構(gòu)確定，Telcordia和IEEE。規(guī)范和測試本地以太網(wǎng)（IEEE）抖動的方法不同與用于SDH/SONET/SyncE（ITU-T、Telcordia）的那些不同。
作為下一代串行標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)速率增加，模擬異常對信號完整性和質(zhì)量。信號通路中的導(dǎo)體，包括電路板
跡線、過孔、連接器和布線具有回波損耗的輸電線路效應(yīng)降低信號電平、引起偏斜的反射，并增加噪聲，從而增加抖動。每件事但是從基本系統(tǒng)時鐘信號開始（SYSCLK或主時鐘）。與重要時鐘信號的性能特征、成本產(chǎn)生信號的方式可能會有很大的變化10倍--取決于體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計使用的方法。
幫助實現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計沒有過多的性能保護(hù)帶（以及因此成本過高），本文的重點是提供不同體系結(jié)構(gòu)的更新用于創(chuàng)建符合每個特定高速串行數(shù)據(jù)實施方案。具體的抖動類型，定義和符合性測試方法已經(jīng)有很好的記錄，不會重復(fù).
用于創(chuàng)建系統(tǒng)時鐘是石英晶體振蕩器（“XO”），一種經(jīng)過驗證的技術(shù)使用多年。晶體振蕩器本身具有固有抖動特性及其輸出抖動根據(jù)設(shè)計/電路及其單元而變化價格智能系統(tǒng)設(shè)計師意識到系統(tǒng)/產(chǎn)品/設(shè)計的成本本身就是需要滿足的“規(guī)范”。這篇文章一起描述了創(chuàng)建信號的每種方法帶有推薦表以幫助潛在用戶
避免產(chǎn)生比必需的.
美國IDT時鐘晶體振蕩器的優(yōu)勢，美國IDT公司是一家小有名氣的頻率元器件供應(yīng)商，主要向市場提供低成本高精度的石英晶振，時鐘振蕩器，有源石英晶振等產(chǎn)品，伴隨著行業(yè)快速發(fā)展，對于IDT公司而言，也迎來極大的挑戰(zhàn)，為了能夠突破目前的困境，實現(xiàn)快速增長，IDT公司結(jié)合目前的市場需求，憑借著自身獨特的創(chuàng)新能力，專注于打磨品質(zhì)優(yōu)良，性能出色的產(chǎn)品，產(chǎn)品一經(jīng)推出便得到市場極佳的反響，并為IDT公司未來發(fā)展打下基石。
每位產(chǎn)品設(shè)計師每天都必須處理電磁兼容性(EMC)或電磁干擾(EMI)問題，尤其是在使用石英振蕩器等頻率確定元件時。安裝在石英晶體振蕩器中的ic會產(chǎn)生陡峭、邊緣銳利的側(cè)翼，并產(chǎn)生強烈的諧波泛音。擴頻振蕩器是解決這一問題的一種方法，但在許多應(yīng)用中無法使用。例如，在中心擴展為0.5%的情況下，輸出頻率在f在外0.5%.給定33.333或66.666MHz的頻率，0.5%的頻率調(diào)制意味著頻率調(diào)制范圍為33.333 MHz±166.665kHz或66.666MHz±333.330kHz，這對精確計時來說太大了。這些應(yīng)用通常只允許50 ppm，或者說低100倍。50ppm的頻率穩(wěn)定性相當(dāng)于33.333MHz時的容差為1.66665kHz，或66.666 MHz時的容差為3.3333kHz。在這種情況下，開發(fā)商迄今為止不得不采取非常昂貴的措施來降低EMC–EMI。這已經(jīng)沒有必要了。Landsberg am Lech的Petermann-Technik基于創(chuàng)新的IC技術(shù)——下一代時鐘——提供高度多樣化的SMD硅時鐘振蕩器，具有軟電平輸出信號。軟電平技術(shù)是一種可編程輸出信號，通過延長上升時間(t)可以顯著降低LVCMOS輸出信號的諧波含量升高)和下降時間(t秋天).軟電平技術(shù)允許根據(jù)客戶要求精確調(diào)整輸出信號。
軟級別功能的作用
圖1顯示了LVCMOS輸出信號的周期t和t升高和t秋天20 %到80 %之間。圖2顯示了正常LVCMOS方波信號(紅線)與+3.3V電源電壓下的軟電平LVCMOS輸出信號(藍(lán)線)的邊沿輪廓直流電。該圖清楚地顯示了SoftLevel函數(shù)如何使方波的邊緣變圓(產(chǎn)生類似鯊魚鰭的形狀),從而顯著降低諧波泛音。圖3顯示了EMC–EMI衰減(奇次諧波)與輸出信號周期t的關(guān)系。t升高和t秋天與時鐘信號的周期t成比例。美國IDT時鐘晶體振蕩器的優(yōu)勢.
MVIP5陶瓷六腳晶振,MVIL3貼片石英晶振,MVAH514針插件晶振,MVAH314針插件晶振,MVBH58針DIP晶振,MVBH38針DIP晶振,MVIH55070陶瓷晶振,MVIH3有源壓控晶振,MVKH5VCXO貼片晶振,MVKH3有源石英晶振
ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動晶振ECS-1633-192-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振
ECX-P33BN-200.000美國伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動晶振ECS-2033-240-AU美國伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振
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