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進(jìn)口溫補(bǔ)晶振大全，提供日本進(jìn)口溫補(bǔ)節(jié)能改造-歐美進(jìn)口溫補(bǔ)晶振！
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EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面聲波振蕩器

EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面聲波振蕩器

頻率：100~200MHZ
尺寸：5.0×3.2mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

頻率：100~700MHZ
尺寸：5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
石英晶體振蕩器在設(shè)計(jì)時(shí)就與各款型號(hào)IC匹配等相關(guān)技術(shù)，使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等有它的特殊性，必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-1000CA/CB晶振

EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-1000CA/CB晶振

頻率：50~170MHZ
尺寸：5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,可編程有源晶體,SG-8506CA晶振

EPSON晶振,可編程有源晶體,SG-8506CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,有源晶體振蕩器,SG-9001LB晶振

EPSON晶振,有源晶體振蕩器,SG-9001LB晶振

頻率：10~166MHZ
尺寸：5.0×3.2mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-8101系列晶振

EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-8101系列晶振

頻率：0.67~170MH...
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,可編程石英晶體振蕩器,SG-8003晶振

EPSON晶振,可編程石英晶體振蕩器,SG-8003晶振

頻率：1~166MHZ
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,貼片晶體振蕩器,SG-8002CE晶振

EPSON晶振,貼片晶體振蕩器,SG-8002CE晶振

頻率：1~125MHZ
尺寸：3.2×2.5mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,貼片振蕩器,SG5032CAN晶振

EPSON晶振,貼片振蕩器,SG5032CAN晶振

頻率：1~75MHZ
尺寸：5.0×3.2mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,貼片有源晶振,SG2016CAA晶振

EPSON晶振,貼片有源晶振,SG2016CAA晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MT3

EPSON晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MT3

頻率：2.375~60MH...
尺寸：2.5×2.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,“SG-211SEE 26.0000MT3”產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,進(jìn)口有源晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0

EPSON晶振,進(jìn)口有源晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0

頻率：1~75MHZ
尺寸：2.5×2.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“SG-210STF 24.0000ML0”比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
EPSON晶振,2520貼片晶振,SG-210SEH晶振

EPSON晶振,2520貼片晶振,SG-210SEH晶振

頻率：80~170MHZ
尺寸：2.5×2.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

頻率：50~80MHZ
尺寸：2.5×2.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5×2.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料
小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間，“SG-210SEB 26.0000MF3”,在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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