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歡迎光臨深圳市火運電子有限公司!小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗
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貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
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有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
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有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調(diào)整頻率,使產(chǎn)品永遠控制在一定的頻率范圍,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用
VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調(diào)整頻率,使產(chǎn)品永遠控制在一定的頻率范圍,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用
VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調(diào)整頻率,使產(chǎn)品永遠控制在一定的頻率范圍,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用。
貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬級車間生產(chǎn),并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓,內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬級車間生產(chǎn),并且在密封機器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。