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IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器

頻率：0.016~167MHz

尺寸：5.0×3.2,5.0×7.0mm

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

LH-1 IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器,IDT晶振集團(tuán)在RF、高性能定時(shí)、存儲(chǔ)接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無線電源及智能傳感器方面的市場(chǎng)導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計(jì)算、消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域混合信號(hào)完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售場(chǎng)所和經(jīng)銷合作伙伴遍及全世界。
IDT為高性能的網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用提供了廣泛的解決方案。IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)解決方案包括網(wǎng)絡(luò)同步產(chǎn)品超越競(jìng)爭(zhēng),使客戶開發(fā)最先進(jìn)的系統(tǒng)。IDT積極提高產(chǎn)品和包裝，以產(chǎn)生最快、最可靠的設(shè)備。然而，由于IDT晶振產(chǎn)品性能往往受到其實(shí)現(xiàn)的影響，因此建議仔細(xì)考慮影響設(shè)備運(yùn)行溫度的因素，以達(dá)到最好的效果。

LH-2

項(xiàng)目	符號(hào)	XUH晶振晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.016MHz to 167MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

XUH 5032 HCMOS

LH-4 晶振使用注意事項(xiàng)
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體振蕩器產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于進(jìn)口晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口晶體振蕩器產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器

LH-5 IDT 晶振集團(tuán)環(huán)?；纠砟睿?br /> IDT晶振集團(tuán)采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時(shí)又滿足最高可能功效標(biāo)準(zhǔn)的石英晶振,貼片晶振。采用對(duì)環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝。無論公司在世界何處,其經(jīng)營(yíng)都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)，確保業(yè)務(wù)合作伙伴對(duì)環(huán)境問題同等關(guān)注。從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動(dòng)以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
在晶振,石英晶振,5032晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對(duì)環(huán)境健康的、可回收利用的材料為開發(fā)高效的、對(duì)環(huán)境影響最小的運(yùn)輸系統(tǒng)而工作。IDT 晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等。IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器