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進口溫補晶振大全,提供日本進口溫補節(jié)能改造-歐美進口溫補晶振!
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IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.750~250MHz

尺寸:3.2×2.5,5.0×3.2,5.0×7.0mm

有源石英晶振,無論是溫補晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

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LH-1IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器,IDT晶振集團在RF、高性能定時、存儲接口、實時互聯(lián)、光互聯(lián)、無線電源及智能傳感器方面的市場導(dǎo)向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計算、消費、汽車和工業(yè)領(lǐng)域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售場所和經(jīng)銷合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,溫補晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
IDT開發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案,例如處理器和內(nèi)存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認為作為一個行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,我們在解決我們星球上一些最偉大的社會和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT的傳感器信號調(diào)節(jié)器適用于各種汽車應(yīng)用,包括電力轉(zhuǎn)向、排放控制、可變閥門定時、液位測量、航向通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)。

LH-2

項目

符號

XLH晶振晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

0.75MHz to 250MHz

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

LH-3

XLH 5032 HCMOS

LH-4晶振使用注意事項
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英貼片晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致壓電石英晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

LH-5IDT 晶振集團環(huán)?;纠砟睿?br /> IDT 晶振集團采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響
開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時又滿足最高可能功效標準的石英晶振,貼片晶振
采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作
無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應(yīng)保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標準
確保業(yè)務(wù)合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領(lǐng)域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
IDT 晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.
集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
IDT 晶振集團將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,7050晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

LH-6

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EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振
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石英晶體振蕩器在設(shè)計時就與各款型號IC匹配等相關(guān)技術(shù),使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。
EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-1000CA/CB晶振
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有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON晶振,EG-2101CA晶振,聲表面濾波器,EG-2101CA 62.500M-DCHL3
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小型貼片石英晶振主要采用了,“EG-2101CA 62.500M-DCHL3”先進的晶片的拋光工藝技術(shù),是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝,使產(chǎn)品在各項參數(shù)得到了很大的改良。
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