頻率：12MHZ~48MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
泰藝晶振,貼片石英晶振,X2晶振,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振的切割設計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質，壓電性質，溫度性質不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
X2貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
12.00MHZ~48.0MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ～ +125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3：化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作
泰藝晶振電子自公司成立以來，秉持對環(huán)境保護承諾宣言：『還給后代一個干凈的地球』，所有活動應遵從以下政策：
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振自設計階段至成品完成后之服務即應考察該產品對環(huán)境產生之沖擊，避免使用會造成污染之原物料及制程；對污染之防治應從根源解決問題，以《不產生、不使用》為最高指導原則。
2.若無法避免需產生或使用時，應管制單位產生量及使用量，做持續(xù)性之追蹤管制、改進并制定預防方案或是降低污染量，水電等消耗性（能）資源使用，應從系統(tǒng)研究改善使用效率，以達成節(jié)約能源之目標。
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