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歡迎光臨深圳市火運(yùn)電子有限公司!頻率:100~175MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
EPSON晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振,注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄,貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
精工愛普生株式會(huì)社(總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛普生”)在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,7050晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛普生料號(hào)等.
型號(hào) |
SG7050EBN晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
100~175MHZ |
|
電源電壓(Vcc) |
+2.5,3.3V |
|
消耗電流 |
+90mA max. |
|
驅(qū)動(dòng)輸出 |
LV-PECL |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負(fù)載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
愛普生有源石英貼片振蕩器型號(hào)列表:
愛普生有源石英貼片振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050CCN
8.192000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
9.830400 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
7.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
6.144000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050EBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0045010060
SG7050CCN
8.192000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010061
SG7050CCN
9.830400 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010079
SG7050CCN
7.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010083
SG7050CCN
6.144000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045110001
SG7050EBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0045110002
SG7050EBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0045110003
SG7050EBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0045110004
SG7050EBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保日產(chǎn)晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。愛普生晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存金屬面晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至OSC晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
愛普生晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過7050貼片振蕩器有效利用森林、能源以及其它資源,減少形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo). 愛普生晶振,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振
愛普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、貼片型OSC振蕩器,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾;
減少金屬面貼片晶振污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園;依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.
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