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EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044310086晶振,石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。

智能手機(jī)進(jìn)口晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.

愛(ài)普生品牌系列千赫子的5032晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛(ài)普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

愛(ài)普生TCXO有源振蕩器型號(hào)列表:

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
TG5032CAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 6.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032CAN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 6.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032SAN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032SAN	15.360000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032SAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032SAN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032SAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
TG5032SAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
X1G0044310101	TG5032CAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310102	TG5032CAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310103	TG5032CAN	30.720000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 6.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044310104	TG5032CAN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 6.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410086	TG5032SAN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410088	TG5032SAN	15.360000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410093	TG5032SAN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410097	TG5032SAN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	0 to +70 °C	+/-0.10 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410101	TG5032SAN	19.200000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm
X1G0044410102	TG5032SAN	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.25 ppm	≤ 5.0 mA	-10 to -5 Vc=0.5V	+/-0.02ppm

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)進(jìn)口石英晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044310086晶振

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。 

存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存貼片有源晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

愛(ài)普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)5032兆赫茲振蕩器的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評(píng)價(jià)：評(píng)價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績(jī).我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044310086晶振

加強(qiáng)環(huán)境意識(shí)教育,提高全員環(huán)境意識(shí),充分調(diào)動(dòng)職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,5032mm壓電石英晶體,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過(guò)程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響.  我們的活動(dòng)、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會(huì)形象.

愛(ài)普生晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司,高性能輸出晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營(yíng)過(guò)程中充分考慮對(duì)環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn).