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歡迎光臨深圳市火運電子有限公司!頻率:80~170MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
EPSON晶振,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振,晶振高精密點膠技術(shù):石英晶振晶片膠點的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點大小一致性,通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號。
有源晶振,是只石英晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)運用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.
型號 |
SG-210SDH晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
80~170MHZ |
|
電源電壓(Vcc) |
+2.5V |
|
消耗電流 |
+90mA max. |
|
驅(qū)動輸出 |
CMOS |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負(fù)載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
愛普生有源石英貼片振蕩器型號列表:
愛普生有源石英貼片振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SCH
125.006250 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
114.285000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SCH
133.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039310039 | SG-210SCH | 125.006250 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 11.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039310042 | SG-210SCH | 114.285000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039310043 | SG-210SCH | 133.333000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 11.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039310044 | SG-210SCH | 133.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 11.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039410001 | SG-210SDH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 7.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039410002 | SG-210SDH | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039410003 | SG-210SDH | 100.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-100 ppm | ≤ 7.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039410004 | SG-210SDH | 133.333000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0039410008 | SG-210SDH | 125.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.90 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 9.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % |
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗OSC晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略。愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振
機(jī)械處理:當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何貼片振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點。
電處理:將電源連接到進(jìn)口晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度。
加強(qiáng)環(huán)境意識教育,提高全員環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),2520小體積晶振,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.愛普生晶振,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410001晶振
愛普生晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)設(shè)計,優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,進(jìn)口石英晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn).
愛普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)四腳貼片晶振的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評價:評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
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