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歡迎光臨深圳市火運(yùn)電子有限公司!頻率:13~52MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振,有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
2520mm體積的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品.
在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛(ài)普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱(chēng)霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛(ài)普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.
型號(hào) |
TG-5035CG晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
13~52MHZ |
|
電源電壓范圍 |
1.7~3.3V |
|
電源電壓(Vcc) |
+3.3V |
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消耗電流 |
+90mA max. |
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驅(qū)動(dòng)輸出 |
CMOS |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負(fù)載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長(zhǎng)期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
愛(ài)普生TCXO有源振蕩器型號(hào)列表:
愛(ài)普生TCXO有源振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG-5035CJ
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
16.368000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.3 mA
+/- 5.7 to +/- 10 Vc = 0.9V +/- 0.6V
+/-1ppm
TG-5035CJ
16.367667 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
16.369000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
16.368000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-2.20 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
TG-5035CG
32.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-10 to +55 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-6ppm
TG-5035CG
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
X1G0038410040
TG-5035CJ
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410048
TG-5035CJ
16.368000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038410052
TG-5035CJ
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.3 mA
+/- 5.7 to +/- 10 Vc = 0.9V +/- 0.6V
+/-1ppm
X1G0038410054
TG-5035CJ
16.367667 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038510014
TG-5035CG
16.369000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038510016
TG-5035CG
16.368000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038510032
TG-5035CG
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-2.20 ppm
≤ 1.5 mA
+/-1ppm
X1G0038510039
TG-5035CG
32.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-1.0 ppm
-10 to +55 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-6ppm
X1G0038510042
TG-5035CG
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存OSC晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振
耐焊性:將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至進(jìn)口貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
愛(ài)普生晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的壓電石英晶體、2520石英晶振,有源晶體,溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO)完全符合ISO14001環(huán)境管理體系標(biāo)準(zhǔn)的要求,體現(xiàn)了一個(gè)適合、三個(gè)承諾和一個(gè)框架:建造美麗家園——適合于我公司的生產(chǎn)活動(dòng)、產(chǎn)品以及服務(wù)過(guò)程的性質(zhì).規(guī)模與環(huán)境影響;持續(xù)改進(jìn)——持續(xù)改進(jìn)環(huán)境績(jī)效和環(huán)境管理體系的承諾;EPSON晶振,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CG晶振,X1G0038510014晶振
減少日產(chǎn)2520溫補(bǔ)振蕩器污染,節(jié)能降耗——污染預(yù)防的承諾;依法治理——遵守現(xiàn)行適用的環(huán)境法律、法規(guī)和其他要求的承諾;“減少污染,節(jié)能降耗,建造美麗家園;依法治理,持續(xù)改進(jìn),凈化一片藍(lán)天”提供了建立和評(píng)審環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo)的框架.
愛(ài)普生晶振環(huán)境影響的最小化:遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)有效利用森林、能源以及其它資源,減少時(shí)鐘車(chē)載振蕩器各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.愛(ài)普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個(gè)運(yùn)行部門(mén),實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測(cè)量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)的目標(biāo)和指標(biāo).
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