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歡迎光臨深圳市火運電子有限公司!頻率:2.375~60MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
EPSON晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振,石英晶振的研磨技術(shù):通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個方面,通過理論與實際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;
2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品.
愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的進口晶振產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對應(yīng)陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機、筆記本電腦、移動電話等.等用途.
型號 |
SG-211SDE晶振 |
|
輸出頻率范圍 |
2.375~60MHZ |
|
電源電壓(Vcc) |
+2.2~2.7V |
|
消耗電流 |
+90mA max. |
|
驅(qū)動輸出 |
CMOS |
|
輸出電壓 |
0.8Vp-p min.(f≦52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled) |
|
輸出負載 |
10kΩ//15pF |
|
頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.(After 2 reflows) |
溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
|
電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.(VCC ±5%) |
|
負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%) |
|
長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
|
頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
頻率控制極性 |
正極性 |
愛普生有源石英貼片振蕩器型號列表:
愛普生有源石英貼片振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-211SCE
24.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 90 °C
+/-25 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
10.000250 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
10.000400 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
19.660000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-15 ppm
≤ 4.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
26.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 2.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
40.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
37.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SDE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 5.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210198 | SG-211SCE | 24.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 90 °C | +/-25 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210200 | SG-211SCE | 10.000250 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210201 | SG-211SCE | 10.000400 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 3.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036210202 | SG-211SCE | 19.660000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-15 ppm | ≤ 4.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310003 | SG-211SDE | 26.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-20 ppm | ≤ 2.5 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310004 | SG-211SDE | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310005 | SG-211SDE | 37.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -20 to 70 °C | +/-20 ppm | ≤ 3.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0036310006 | SG-211SDE | 54.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-15 ppm | ≤ 5.0 mA | Included in Frequency tolerance First year | 45 to 55 % |
電處理:將電源連接到有源石英晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振,或者起不到最佳精度。愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
有源晶振的負載電容與阻抗:負載電容與阻抗貼片石英晶振設(shè)置一個規(guī)定的負載阻抗值。當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略。
機械處理:當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產(chǎn)品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點。
愛普生晶振環(huán)境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進CMOS驅(qū)動2520晶振的目標和指標. 環(huán)境行為評價:評價我們運行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).愛普生晶振,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振
加強環(huán)境意識教育,提高全員環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少普通有源晶振生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
愛普生晶振集團不斷改進設(shè)計,優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,2520mm振蕩器,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持續(xù)發(fā)展作出貢獻.
深圳市火運電子有限公司
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