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歡迎光臨深圳市火運(yùn)電子有限公司!
頻率：2.375~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
EPSON晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振,注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。
小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體振蕩器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
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型號 |
SG-211SCE晶振 |
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輸出頻率范圍 |
2.375~60MHZ |
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電源電壓（Vcc） |
+3.3V |
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消耗電流 |
+90mA max. |
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驅(qū)動輸出 |
CMOS |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負(fù)載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩(wěn)定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.（VCC ±5%） |
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負(fù)載變化特性 |
±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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愛普生有源石英貼片振蕩器型號列表:
愛普生有源石英貼片振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0029410013
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410014
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410016
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410018
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0036210006
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210007
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210009
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210010
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
機(jī)械處理:當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何OSC振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。愛普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
電處理:將電源連接到有源晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會不起振，或者起不到最佳精度。
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時(shí)，指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測量儀器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測量儀器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。
愛普生晶振集團(tuán)不斷改進(jìn)設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝,調(diào)整工廠布局,采取相應(yīng)措施,減少各種污染環(huán)境的因素,盡可能地節(jié)省資源和能源,積極保護(hù)廠區(qū)和周圍地區(qū)的環(huán)境,在本公司石英晶振,,壓電石英晶體、有源晶體的生產(chǎn)與經(jīng)營過程中充分考慮對環(huán)境的影響,為人類的健康生存和持2520進(jìn)口四腳晶振續(xù)發(fā)展作出貢獻(xiàn).愛普生晶振,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
愛普生晶振環(huán)境管理體系：在每一個(gè)運(yùn)行部門,實(shí)施支持方針的系統(tǒng)的環(huán)境管理工具.我們將確保適當(dāng)?shù)娜肆Y源和充分的財(cái)力保障.每年我們都將建立可測量的環(huán)境管理以及行為改進(jìn)2520mm電腦貼片振蕩器的目標(biāo)和指標(biāo). 環(huán)境行為評價(jià)：評價(jià)我們運(yùn)行以及員工的環(huán)境行為表現(xiàn),確認(rèn)支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠?qū)⒎结樑c各自工作職責(zé)完全結(jié)合的培訓(xùn).
加強(qiáng)環(huán)境意識教育,提高全員環(huán)境意識,充分調(diào)動職工的積極性,積極使用溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,,石英晶振,有源晶振環(huán)保型原材料,減少耐高溫晶體振蕩器生產(chǎn)過程中的廢棄物產(chǎn)生量,努力向相關(guān)方施加環(huán)境影響. 我們的活動、產(chǎn)品和服務(wù)首先要遵守和符合有關(guān)環(huán)境的法律和其他環(huán)境要求.努力探索生產(chǎn)中所使用的有毒有害物質(zhì)的替代,本著污染預(yù)防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.
深圳市火運(yùn)電子有限公司
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