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EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

頻率：50~80MHZ

尺寸：2.5×2.0mm

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

訂購熱線：0755-29952551

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EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振。日本精工愛普生晶振接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件(蘇州)有限公司】愛普生晶振公司已經建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續(xù)為客戶創(chuàng)造新的價值,并決定使用這個模型來驅動前面提到的四個關鍵領域的創(chuàng)新.這意味著從頭開始創(chuàng)建產品:創(chuàng)建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規(guī)劃和設計提供獨特價值的產品,生產或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業(yè)知識,然后生產晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶。

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項目	符號	SG-210SED晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	50MHz to 80 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	2.5 V to 3.3 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	60 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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SG-210SED SDD SCD 2520 COMS

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抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免照射.
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑. （比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振