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微晶晶振,貼片晶振,RV-8564-C2晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：5.0*3.2mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-29952551

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微晶晶振,貼片晶振,RV-8564-C2晶振，超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.

低頻晶振可從7.98MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

石英晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一

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微晶晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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使用環(huán)境（溫度和濕度）

請?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

晶振/石英晶體諧振器

激勵(lì)功率

在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。微晶晶振,貼片晶振,RV-8564-C2晶晶振

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