頻率:32.768KHz
尺寸:3.7*2.5mm
普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
微晶晶振,貼片晶振,RV-3049-C3晶振,貼片式石英晶體諧振器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
石英晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一
微晶晶振規(guī)格 |
單位 |
晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節(jié)內容)。
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容)。
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容)。微晶晶振,貼片晶振,RV-3049-C3晶晶振
微晶晶振環(huán)?;纠砟睿?/span>
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環(huán)境.遵守國內外的有關環(huán)保法規(guī).
2.保護自然環(huán)境,充分關注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用.
4為構建循環(huán)型社會做出貢獻,致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構建循環(huán)型社會.
5.推進晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務,充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務,為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設定環(huán)境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環(huán)境污染.
瑞士微晶晶振按照IS014001標準的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標和方案設定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.
微晶晶振建立和遵守其嚴格的基于活動所在地法律法規(guī)的環(huán)境、安全和健康標準.將不斷地擴展循環(huán)利用、能源和廢棄物管理項目.微晶晶振,貼片晶振,RV-3049-C3晶振
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