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歡迎光臨深圳市火運電子有限公司!頻率:4.0~40.0MHz
尺寸:8.0*4.5mm
NDK晶振,貼片晶振,NX8045GB晶振.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,49/S石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
NDK晶振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.DIP壓電石英晶體諧振器,進口插件晶體,AT-41晶振
NDK晶振 |
單位 |
NX8045GB晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
4.0~40.0MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
1000μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
16PF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
進口貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。DIP壓電石英晶體諧振器,進口插件晶體,AT-41晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。NDK晶振,貼片晶振,NX8045GB晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞SMD晶體,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止生產(chǎn)貼片晶振帶來的環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。
NDK集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。
過去NDK晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進。
NDK晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行石英晶體生產(chǎn)源頭污染預防。為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架。通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持。
對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用晶體對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。
公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內領先、國際先進水平。NDK晶振,貼片晶振,NX8045GB晶振
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