當前位置：首頁 » 進口晶振 » MTRONPTI晶振,VC-TCXO晶振,M6056高性能振蕩器

prevnext

MTRONPTI晶振,VC-TCXO晶振,M6056高性能振蕩器

頻率：10.000MHz~52.000MHz

尺寸：3.2*2.5*1.0mm

3225mm體積非常小的進口晶振器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-29952551

LH-1

MTRONPTI晶振,VC-TCXO晶振,M6056高性能振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

MtronPTI與基礎材料科學和制造的完全控制垂直整合,為高可靠性高性能互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)定時,公共安全和軍用/航空通信與控制,儀器儀表和能源管理應用提供解決方案.基于佛羅里達州奧蘭多市的設計,銷售以及在北美,亞洲和歐洲的生產(chǎn)基地,MTRONPTI晶振是LGL集團（NYSE MKT:LGL）的子公司.

石英晶振曲率半徑加工技術:石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應用到的加工技術,主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設計可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設計(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標準的設計原則(曲率半徑公式的計算).

LH-2

MtronPTI晶振	M6056晶振
輸出類型	Clipped Sine Wave
輸出負載	10pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+2.85V~+3.15V
頻率范圍	10.00MHz~52.00MHz
頻率穩(wěn)定度	±1.0ppm
工作溫度	0℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-55℃~+105℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

LH-3

M6055 M6056 3225 TCXO VCTCXO

LH-4

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的進口進口有源晶振的產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

化學制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解高精度晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.機械振動的影響,當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至3225貼片晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息.

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

LH-5

MtronPTI晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.

MtronPTI晶振集團將確保美國進口晶振產(chǎn)品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構的相關法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關和其他官方組織從事的環(huán)?；顒? 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.

MtronPTI晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去MtronPTI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.

美國MtronPTI晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.