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MTRONPTI晶振,耐高溫晶振,M1325晶體

頻率：12.000MHz~54.000MHz

尺寸：5.0*3.2*0.8mm

智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體諧振器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-29952551

LH-1

MTRONPTI晶振,耐高溫晶振,M1325晶體.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢

MtronPTI于1965年成立于雷達(dá),為高可靠性/高性能應(yīng)用設(shè)計和制造定制RF和微波解決方案.2004年成立,由M-tron Industries,Inc.收購Piezo Technology,Inc. MtronPTI是LGL Group,Inc.的全資子公司.今天的MtronPTI進口晶振在所有地點均通過ISO9001:2008認(rèn)證,并且今天繼續(xù)管理嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系.MtronPTI還擁有AS9100 Rev C認(rèn)證流程,并繼續(xù)改善質(zhì)量,加快流程,并在業(yè)務(wù)的各個方面管理需求流技術(shù),以便在規(guī)定的正確時間交付正確的產(chǎn)品.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使高精度晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

LH-2

MtronPTI晶振	單位	M1325晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.0MHz~54.0MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55℃~+125℃	裸存
工作溫度	T_use	-10℃~+60℃ 0℃~+70℃ -20℃~+70℃ -40℃~+85℃	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:10μW
頻率公差	f_— l	±10ppm ±15ppm ±20ppm ±25ppm ±30ppm ±50ppm ±100ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	30 × 10-6，±50 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	18pF 8pF~32pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

LH-3

M1325 5032 4P

LH-4

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.

輸出負(fù)載

建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC或GND.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的有源晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

進口晶體振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致有源晶體無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致5032晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

LH-5

MtronPTI晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.

MtronPTI晶振集團將確保其模塊晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒? 在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.

MtronPTI集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.

MtronPTI晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).

對我們的產(chǎn)品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.公司的各項能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平.