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進口溫補晶振大全,提供日本進口溫補節(jié)能改造-歐美進口溫補晶振!
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京瓷晶振,貼片晶振,KC5032P晶振

頻率:25.0~175.0MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

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LH-1

JC-1

京瓷晶振,貼片晶振,KC5032P晶振晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

  貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.LH-2

京瓷晶振規(guī)格

單位

KC5032P晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

25.0 ~ 175.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C  +150°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C  +150°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12pF  ∞

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

LH-3

JC-2

KC5032P_H2_H3_5.0_3.2 OSC

LH-4

使用環(huán)境(溫度和濕度)

請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

晶振/石英晶體諧振器

激勵功率

在晶振上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?/span> 。

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加。

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容LH-5

  京瓷晶振環(huán)保理念

  京瓷晶振的CSR活動基于以"作為人何謂正確"為判斷基準(zhǔn)的"京瓷哲學(xué)"。希望通過實踐京瓷哲學(xué),解決CSR課題,并構(gòu)建與利益相關(guān)者相互信賴的關(guān)系,實現(xiàn)集團的可持續(xù)發(fā)展,同時為社會的健全發(fā)展做出貢獻。

  京瓷晶振將“防止全球變暖、節(jié)能性”、“資源循環(huán)性”、“環(huán)保、產(chǎn)品安全性”這3個主題視為最重要的課題,在產(chǎn)品開發(fā)階段就明確地設(shè)定了相應(yīng)的環(huán)保理念。京瓷晶振,貼片晶振,KC5032P晶振.LH-6

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