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IDT晶振,8N4Q001晶振,進口有源晶振

頻率：15.476~1300MHz

尺寸：5.0×7.0mm

VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調(diào)整頻率，使產(chǎn)品永遠控制在一定的頻率范圍，壓控晶振（VCXO）壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應用：SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應用

訂購熱線：0755-29952551

LH-1 IDT晶振,8N4Q001晶振,進口有源晶振,IDT晶振集團在RF、高性能定時、存儲接口、實時互聯(lián)、光互聯(lián)、無線電源及智能傳感器方面的市場導向型產(chǎn)品,是該公司一系列廣泛的通信、計算、消費、汽車和工業(yè)領域混合信號完整解決方案的一部分.IDT的設計、生產(chǎn)、銷售場所和經(jīng)銷合作伙伴遍及全世界,主要生產(chǎn)晶振,石英晶振,有源晶振,溫補晶體振蕩器,壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體等元器件.
差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的超高頻點.特別是“SAW單元極低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款有源晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍遠遠超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍.

LH-2

項目	符號	8N4Q001晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	15.476MHz to 1300MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

8N4Q001 7050 XO

LH-4 晶振使用注意事項
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英貼片晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致壓電石英晶體振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）IDT晶振,8N4Q001晶振,進口有源晶振

LH-5 IDT 晶振集團環(huán)?；纠砟睿?br /> IDT 晶振集團采用系統(tǒng)的方法來解決其產(chǎn)品的環(huán)境影響
開發(fā)和銷售擁有最有利的環(huán)境特性同時又滿足最高可能功效標準的石英晶振,貼片晶振
采用對環(huán)境盡可能健康的生產(chǎn)工藝
在晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器開發(fā)和制造過程中使用對環(huán)境健康的、可回收利用的材料
為開發(fā)高效的、對環(huán)境影響最小的運輸系統(tǒng)而工作
無論公司在世界何處,其經(jīng)營都應保證生產(chǎn)過程和產(chǎn)品符合同等的環(huán)境標準
確保業(yè)務合作伙伴對環(huán)境問題同等關(guān)注
從事并參與環(huán)境領域的研究和開發(fā)活動
以公開和客觀的方式提供有關(guān)其環(huán)境影響的信息
IDT 晶振集團將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質(zhì)量.
集團公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
IDT 晶振集團將在各領域內(nèi)的晶振,7050晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等。IDT晶振,8N4Q001晶振,進口有源晶振 LH-6