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Golledge晶振,溫度補(bǔ)償晶振,GTXO-91振蕩器

頻率:8.000MHz~52.000MHz

尺寸:3.2*2.5*0.9mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
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LH-1

Golledge晶振,溫度補(bǔ)償晶振,GTXO-91振蕩器.溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM?2.0PPM,工作溫度范圍:-30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

高利奇晶振實(shí)業(yè)公司從研發(fā)生產(chǎn)到銷售所使用的材料均符合ROHS環(huán)保要求,所生產(chǎn)的石英晶振晶體達(dá)到了歐盟環(huán)保要求.Greenray購買的所有部件和材料都是經(jīng)過檢查嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的制造商所提供.

石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對(duì)于晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英SMD晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.

LH-2

Golledge晶振

GTXO-91晶振

輸出類型

Clipped sine

輸出負(fù)載

10pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V~+3.3V

頻率范圍

8.000MHz~52.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±0.5ppm

±1.0ppm

±1.5ppm

±2.0ppm

±2.5ppm

工作溫度

-20℃~+70℃

-30℃~+75℃

-40℃~+85℃

保存溫度

-40℃~+85℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

LH-3

gtxo91 3225 TCXO

LH-4

陶瓷封裝產(chǎn)品

在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電振蕩產(chǎn)品時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性.

柱面式產(chǎn)品

產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞.當(dāng)石英水晶振動(dòng)子產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂.當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正.在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞.所以在此處請(qǐng)不要施加壓力.另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口聲表面濾波器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

LH-5

Golledge晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少晶振廢物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶體諧振器,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

我們將依據(jù)技術(shù)進(jìn)步以及對(duì)安全、健康和環(huán)境科學(xué)全新的解釋持續(xù)地改進(jìn)我們的業(yè)務(wù).我們將追求在資源利用上的零廢物率.壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、高精度晶振原材料將得到循環(huán)和再利用以最大限度地減少對(duì)其處理量,同時(shí)節(jié)約資源.在廢物的滋生地,廢物將被安全、負(fù)責(zé)地處理掉.

Golledge晶振重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營活動(dòng)的環(huán)境績效.與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個(gè)免于事故的工作場所.所有的經(jīng)營組織都將積極應(yīng)用國際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

Golledge石英晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對(duì)策:實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境.

GTXO-91

LH-6

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