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進(jìn)口溫補(bǔ)晶振大全,提供日本進(jìn)口溫補(bǔ)節(jié)能改造-歐美進(jìn)口溫補(bǔ)晶振!
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ECS晶振,貼片晶振,ETXO-L晶振

頻率:10.00-1500.0MHZ

尺寸:3.2*2.5MM

貼片石英晶振最適合用于車(chē)載電子領(lǐng)域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對(duì)應(yīng)有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分簡(jiǎn)稱(chēng)為時(shí)鐘晶體振蕩器,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).


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        ECS晶振,貼片晶振,ETXO-L晶振,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品.

        石英晶振的研磨技術(shù):通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨,使石英晶振的晶片達(dá)到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為:在壓電晶體行業(yè),龍湖電子生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示龍湖電子技術(shù)水平的一個(gè)方面,我公司龍湖電子通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合,累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn),通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù),注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié),注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設(shè)計(jì)及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄,貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),提升了晶振廠家龍湖電子的競(jìng)爭(zhēng)力,使晶振廠家龍湖電子在高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。

項(xiàng)目

符號(hào)

規(guī)格說(shuō)明

條件

輸出頻率范圍

f0

10.00-1500.0MHZ

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com 

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

ETXO-L 3225 TCXO

晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿(mǎn)足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶(hù)按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

7-1:機(jī)械振動(dòng)的影響

 當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

7-2:PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)

(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。

(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。

(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。

(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。

正常溫度和濕度:

溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。

(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

ECS Inc國(guó)際晶振集團(tuán)重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過(guò)員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的環(huán)境績(jī)效.
加強(qiáng)污染防治,減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來(lái)晶振,陶瓷諧振器, 壓控振蕩器, 石英水晶振蕩子生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染.

ECS Inc國(guó)際晶振集團(tuán)所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

ECS晶振集團(tuán)以最小化使用危險(xiǎn)材料、能源和其它資源為目的進(jìn)行公司產(chǎn)品及服務(wù)的安全生產(chǎn)和使用,并確?;厥绽?以防治污染、保存資源的方式進(jìn)行商務(wù)運(yùn)作,并積極地對(duì)以往的環(huán)境破壞進(jìn)行揭露.持續(xù)改進(jìn),將環(huán)境管理與商務(wù)運(yùn)行和決策過(guò)程高度集成,規(guī)范其行為.不斷進(jìn)行持續(xù)改進(jìn)的實(shí)踐.
ECS Inc國(guó)際晶振集團(tuán)按照IS014001標(biāo)準(zhǔn)的要求,建立環(huán)境管理體系,并在環(huán)境目標(biāo)和方案設(shè)定之后追求持續(xù)的環(huán)境改善.ECS晶振,貼片晶振,ETXO-L晶振

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