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ECLIPTEK晶振，貼片晶振,EH2500ETTS-8.000M TR晶振

頻率：8.000MHz

尺寸：7.0*5.0mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-29952551

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ECLIPTEK晶振,貼片晶振,EH2500ETTS-8.000M TR晶振，有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要..

石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。 LH-2

日蝕晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	8.000MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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RS-1

EH2500ETTS-8.000M TR 7050 XO

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自動安裝時的沖擊：

石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。

每個封裝類型的注意事項

(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務必確保在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。

(2)陶瓷包裝石英晶振

在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。

（3）柱面式產(chǎn)品

產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。ECLIPTEK晶振,貼片晶振,EH2500ETTS-8.000M TR晶振 LH-5