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進(jìn)口溫補(bǔ)晶振大全,提供日本進(jìn)口溫補(bǔ)節(jié)能改造-歐美進(jìn)口溫補(bǔ)晶振!
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KDS晶振,貼片晶振,DSV753SK晶振

頻率:40~170MHz

尺寸:7.3×4.9mm

VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來(lái)自動(dòng)調(diào)整頻率,使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用, VCXO,壓控晶體應(yīng)用:調(diào)制解調(diào)器,ADSL網(wǎng)絡(luò)控制器,無(wú)線基站,程控交換設(shè)備智能手機(jī),筆記本晶振等

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LH-1KDS-1KDS晶振,貼片晶振,DSV753SK晶振.日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國(guó)內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國(guó)、英國(guó)、德國(guó),到中國(guó),新加坡,泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理,努力創(chuàng)造利潤(rùn),履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.世界上最薄的溫補(bǔ)晶振封裝,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

LH-2

型號(hào)

DSV753SK晶振(VCXO)

輸出頻率范圍

40~170MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz

電源電壓范圍

+1.68~+3.5V

電源電壓(Vcc)

+3.3V

消耗電流

+25mA max.(f26MHz)/+2.0mA max.(26<f52MHz)/+2.5mA max.(f60MHz)

待機(jī)時(shí)電流

-

輸出電壓

0.8Vp-p min.(f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

頻率穩(wěn)定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.(After 2 reflows)

溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-30~+85
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85(Option)

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.(VCC ±5%)

負(fù)載變化特性

±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%)

長(zhǎng)期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

 

 

控制靈敏度

±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC+2.6V
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V

頻率控制極性

正極性

LH-3KDS-2

DSV753SK LV-PECL

LH-4 機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)石英晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
操作

請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。KDS晶振,貼片晶振,DSV753SK晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用SMD晶振產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。

LH-5KDS晶振集團(tuán)通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán)。通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶振等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。KDS晶振,貼片晶振,DSV753SK晶振

LH-6

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小體積有源石英晶體振蕩器,在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間,在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良,封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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小尺寸的TCXO溫補(bǔ)晶振內(nèi)部晶片焊接模式采用了,高精密點(diǎn)膠技術(shù),晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi),確保TCXO晶體產(chǎn)品精度,穩(wěn)定性能良好發(fā)揮功能。
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石英晶體振蕩器在設(shè)計(jì)時(shí)就與各款型號(hào)IC匹配等相關(guān)技術(shù),使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
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