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KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

頻率：13.5~167MHz

尺寸：2.5×2.0mm,3.2×2.5mm

高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

訂購熱線：0755-29952551

LH-1 KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振,日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個(gè)理念“依賴”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對全球環(huán)境友好.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：2520晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

LH-2

項(xiàng)目	符號(hào)	DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	13.5 MHz to 167 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5V to 3.3 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +105℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

LH-3

DSO223SJ (LVDS)

DSO323SJ 3225(LVDS)

LH-4 石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍

這個(gè)問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問題，請采用三次泛音模式晶振。
1.此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
2.請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。
3.請確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問題是根據(jù)頻率什么。
4.如果是從電源的交流信號(hào)，請檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請改為浮動(dòng)，如果它不是。
5.如果信號(hào)具有高頻率，請使用以下方法：使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。增加電路，鎘和CG的外部電容，并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

LH-5 日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將：
通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、3225晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
過去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振