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KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：2.5×2.0mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要..

訂購熱線：0755-29952551

LH-1 KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振.日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責任.
KDS晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。

LH-2

項目	符號	DSO221SR晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	32.768KHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.8V/2.5V/2.8V/3.0V/3.3V/5.0V	請聯(lián)系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	20μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

LH-3

DSO221SR 2520

LH-4 所有產(chǎn)品的共同點
1：抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射
3：化學制劑 / pH值環(huán)境請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
5：鹵化合物請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振

LH-5 KDS晶振集團將確保其產(chǎn)品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構的相關法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關和其他官方組織從事的環(huán)保活動。在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務活動的所有領域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、石英晶體諧振器、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
KDS晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的。
KDS集團將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故，保護公眾健康的同時，努力改進我們的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動，提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。
推進晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、2520晶振等元器件的環(huán)保型業(yè)務,充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務,為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.
KDS晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。KDS晶振,DSO221SR晶振,32.768K有源晶振