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Statek晶振,石英晶體,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振

頻率：6M~250MHZ

尺寸：8.38X3.94mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型?薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

Statek-1

LH-1

Statek晶振,石英晶體,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

STATEK晶振公司在1970年開創(chuàng)了石英晶體,時(shí)鐘振蕩器的微小型技術(shù),給頻率控制行業(yè)帶來(lái)了革命性的變化.時(shí)至今日Statek公司依舊注重品質(zhì),專注服務(wù)不斷改進(jìn),致力于研發(fā)生產(chǎn)超薄,超小型石英晶振,貼片晶振,石英晶振,有源振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器以及傳感器等器件,產(chǎn)品均在美國(guó)研發(fā)設(shè)計(jì),制造,檢測(cè).

STATEK晶振將水晶放置玻璃封裝以及陶瓷蓋封裝內(nèi),人造水晶相較于其他使用機(jī)械生產(chǎn)的水晶要小的多.所生產(chǎn)水晶元件具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),具有以下特點(diǎn)：高穩(wěn)定性,頻率精準(zhǔn),保存溫度范圍廣,抗老化性能強(qiáng)等特點(diǎn).Statek石英晶振,晶體振蕩器具有小型化,低功耗,優(yōu)秀的耐沖擊性,抗氧化性佳等特點(diǎn).廣泛使用于全球GPS定位系統(tǒng),WLAN網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品,網(wǎng)絡(luò)控制器,無(wú)線基站,程控交換設(shè)備,精密儀器,GPS衛(wèi)星,汽車應(yīng)用,計(jì)算機(jī),全球GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊,數(shù)碼產(chǎn)品等等.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體,貼片晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

LH-2

Statek晶振規(guī)格	單位	CX1HT晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	6M~250MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

Statek晶振規(guī)格	單位	CX4HT晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	14MHZ~250MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

Statek晶振規(guī)格	單位	CX9HT晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	14MHZ~2500MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF ～ ∞	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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Statek-2

CX4HTcc

LH-4 所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)

1：抗沖擊

抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.

2：輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射.Statek晶振,石英晶體,CX1HT晶振,CX4HT晶振,CX9HT晶振

3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

4：粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

5：鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

6：靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

LH-5

Statek晶振公司深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,牢固樹立安全發(fā)展理念,強(qiáng)化責(zé)任,狠抓落實(shí),加強(qiáng)防范,堅(jiān)決遏制重特大事故發(fā)生.

要毫不松懈地抓好安全環(huán)保工作,堅(jiān)持把“環(huán)保優(yōu)先、安全第一、質(zhì)量至上、以人為本”的理念落實(shí)到壓電石英晶體、有源晶體,石英晶振,貼片晶振生產(chǎn)建設(shè)全過(guò)程.

帶動(dòng)各項(xiàng)安全環(huán)保工作規(guī)范化、程序化、科學(xué)化管理,加快實(shí)現(xiàn)安全環(huán)保形勢(shì)持續(xù)好轉(zhuǎn)、根本好轉(zhuǎn)的工作思路.

進(jìn)一步解放思想,學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)實(shí)踐,針對(duì)新形勢(shì)、新情況,抓好理念創(chuàng)新,促進(jìn)安全環(huán)保工作更加科學(xué)、更加有效.

STATEK晶振公司堅(jiān)持運(yùn)用,不斷完善,持續(xù)改進(jìn),更要針對(duì)新情況、新問(wèn)題,不斷學(xué)習(xí)先進(jìn),總結(jié)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合實(shí)際,及時(shí)改進(jìn)舊方法,勇于擯棄落后方法.