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CITIZEN晶振,有源貼片晶振,CSX-532T晶振

頻率：12.8~26MHZ

尺寸：5.0×3.2mm

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產(chǎn)時(shí)需要在完全凈化車間，在密封的機(jī)器設(shè)備中測(cè)良，封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

CITIZEN晶振,有源貼片晶振,CSX-532T晶振。西鐵城晶振創(chuàng)立于1959年7月28日，當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)17億多,所做產(chǎn)品涉及領(lǐng)域較廣,自動(dòng)車部品,石英晶振,貼片晶振石英晶體振蕩器及水晶片,映像用電子機(jī)器,液晶顯示器,光通信用部品,工業(yè)機(jī)械裝置,精密計(jì)測(cè)機(jī)械,小型精密金屬加工部件等。

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

項(xiàng)目	符號(hào)	CSX-532T晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	12.8MHz~26MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.4 V to 3.0 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -30℃ to +75℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.wwwv2ba.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	1.2 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

CSX532T

LH-4

使用每種產(chǎn)品時(shí)，請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。晶體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)滿足它的規(guī)格書。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品.但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠性，必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ)，安裝，運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品，我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用產(chǎn)品所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

抗沖擊 5032有源晶振,有源晶體振蕩器,CSX-532T晶振

晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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西鐵城晶振公司環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對(duì)策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略。采取有效措施，防治工業(yè)污染。提高能源利用效率，改善能源結(jié)構(gòu)。運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境。大力推進(jìn)科技進(jìn)步，加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究，積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè)。健全環(huán)境法規(guī)，強(qiáng)化環(huán)境管理。加強(qiáng)環(huán)境教育，不斷提高環(huán)境意識(shí)。

1.努力保護(hù)全球環(huán)境的環(huán)保意識(shí)進(jìn)行環(huán)保生產(chǎn)和提供晶振以及服務(wù)給消費(fèi)者.

2.遵守環(huán)境法律、法規(guī)、條例、規(guī)則、協(xié)議、和其他需求,努力降低環(huán)境影響,防止污染.

3.減少進(jìn)口晶振能源消耗,開展資源節(jié)約、資源回收和適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)管理工廠和辦公室,導(dǎo)致全球變暖的預(yù)防和循環(huán)型社會(huì)的建立.

4.與供應(yīng)商和其他業(yè)務(wù)伙伴合作,減少溫室氣體的排放,有效利用資源,加強(qiáng)產(chǎn)品化學(xué)物質(zhì)管理.5032有源晶振,有源晶體振蕩器,CSX-532T晶振

5.參與社區(qū)環(huán)境保護(hù)和生物多樣性保護(hù)項(xiàng)目和主動(dòng)披露信息有關(guān)環(huán)保措施與社區(qū)加強(qiáng)溝通與和諧.

6.分發(fā)文件和采取其他措施,以確保所有員工和其他處理組熟悉的環(huán)境政策.

我們?cè)O(shè)定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo)按照這一政策,工作穩(wěn)步朝著這些目標(biāo)和目標(biāo),評(píng)估和審查,并持續(xù)改進(jìn).

作為全球企業(yè)可持續(xù)的社會(huì)的實(shí)現(xiàn)，集團(tuán)一體推進(jìn)地球環(huán)境保全活動(dòng)遵守環(huán)境相關(guān)的法令、條例、限制、協(xié)定及其他要求事項(xiàng)，環(huán)境負(fù)荷的降低和污染的防止努力。

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