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大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器，壓控晶體振蕩器（VCXO）是通過(guò)紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器，其振蕩頻率由晶體決定，可用控制電壓在小范圍內(nèi)進(jìn)行頻率調(diào)整。VCXO大多用于鎖相技術(shù)、頻率負(fù)反饋調(diào)制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調(diào)諧范圍為±100ppm至±200ppm。

大真空株式會(huì)社KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念“依賴(lài)于可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和”可靠的公司”.作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),使人們更舒適更方便,通過(guò)開(kāi)發(fā)石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.

日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為客戶(hù)在日本國(guó)內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿(mǎn)意的服務(wù).所生產(chǎn)石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國(guó),英國(guó),德國(guó),到中國(guó),新加坡,泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家.以“依賴(lài)”為公司方針,以客戶(hù)為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理,努力創(chuàng)造利潤(rùn),履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器，日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開(kāi)發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(chēng)(KDS晶振)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振品牌實(shí)力見(jiàn)證未來(lái),KDS晶振集團(tuán)總公司位于日本兵庫(kù)縣加古川,在泰國(guó),印度尼西亞,臺(tái)灣,中國(guó)天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來(lái),技術(shù)更新從未間斷.

項(xiàng)目	型名	記號(hào)	DSV321SV
出力周波數(shù)範(fàn)囲		0	6.75 ~ 90MHz
電源電圧		VCC	+3.3V±0.33V
周波數(shù)制御電圧		Vcont	＋1 .65V±1.65V
保存溫度範(fàn)囲		T_stg	−40~+85℃
動(dòng)作溫度範(fàn)囲		T_use	−10 ~+70℃  /−30 ~+85℃
周波數(shù)許容偏差(常溫偏差含む)		f_tol	±40×10 −6  max.
周波數(shù)可変範(fàn)囲		f_cont	±125×10 −6  min./±100×10 −6  min. [Positive Slope]
消費(fèi)電流		ICC	5mA max.  (6 .75MHz≦f0 ≦40MHz)
			8mA max.  (40MHz＜f0 ≦54MHz)
			12mA max.  (54MHz＜f0 ≦90MHz)
			[No Load]
出力負(fù)荷		L_CMOS	15pF
波形シンメトリ		SYM	40~60% [50％ VCC  Level]
0レベル電圧		VOL	VCC ×0. 1 max.
1レベル電圧		VOH	VCC ×0.9 min.
立上り時(shí)間 立下り時(shí)間		tr, tf	10ns max.  (6 .75MHz≦f0 ≦40MHz)
			6ns max.  (40MHz＜f0 ≦54MHz)
			4ns max.  (54MHz＜f0 ≦90MHz)
			[10~90％ VCC  Level]
ピリオド   ジッタ (1)		tRMS	2.4ps typ. (σ)
		tp-p	22ps typ. (Peak to peak)
トータル   ジッタ(1)		tTL	33ps typ. [tDJ + n×tRJ  n=14. 1(BER=1×10- 12)(2)]
位相ジッタ		tpj	1ps max. (10MHz≦f0<40MHz, f0  offset：12kHz~5MHz、
			f0 ≧40MHz, f0  offset：12kHz~20MHz)
梱包単位 (3)		−	2000pcs./reel(φ180)

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器

電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響. 
有源晶振的負(fù)載電容與阻抗
負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至耐高溫晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
機(jī)械處理
當(dāng)有源晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā).

環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開(kāi)發(fā),生產(chǎn)和銷(xiāo)售的石英晶體元器件,石英晶振,有源晶振,壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將：

通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.

有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).

通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.

避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.

根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).

KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.

過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器，KDS晶振集團(tuán)將：不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.

KDS晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿(mǎn)足甚至超出國(guó)家的,州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿(mǎn)足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.