FOX貼片晶體FQ5032BR-20.000最優(yōu)方案是6G無(wú)線模塊應(yīng)用,美國(guó)福克斯公司是一家有著極其豐富經(jīng)驗(yàn)的頻率控制元器件供應(yīng)商，憑借著自身的實(shí)力，擁有先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和高端的生產(chǎn)設(shè)備，以及一流的服務(wù)團(tuán)隊(duì)，使得其在晶體行業(yè)占據(jù)很大的優(yōu)勢(shì)，并通過持續(xù)放大自身的影響力，以達(dá)到自身高要求高標(biāo)準(zhǔn)的目標(biāo)，同時(shí)利用自身的資源，開發(fā)陶瓷晶振編碼FQ5032BR-20.000，型號(hào)C5BQ，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率為20MHZ，頻率穩(wěn)定性為±50ppm，負(fù)載電容20pF,工作溫度為-40°C ~ 85°C,產(chǎn)品具備良好的穩(wěn)定性能和可靠性能，比較適合用于高精密應(yīng)用程序，常用于6G無(wú)線模塊，智能設(shè)備，無(wú)線藍(lán)牙，智能音響等領(lǐng)域。

下面介紹的是物理和 超微型的電特性 低輪廓AT切割石英晶體諧振器以及其生產(chǎn)方法的概述。

AT切割石英晶體諧振器已經(jīng)用于精密頻率控制 超過60年，今天是世界上廣泛使用的晶體類型。而 傳統(tǒng)的AT晶體是圓盤形的 對(duì)更小元件的需求導(dǎo)致了微型自動(dòng)測(cè)試條的研制。到 滿足制造商對(duì)均勻的需求小型元件，F(xiàn)OX公司 開發(fā)了一種超小型低姿態(tài)石英晶體作為其CX-4家族的一部分 產(chǎn)品。作為比較，CX-4只需要大約三分之一的土地面積 CX一號(hào)和大約一半的土地CX的面積-3。(參見表1和圖一。)

以秒計(jì)。我們概述了光刻技術(shù) 用于制造晶片的工藝晶體諧振器。以秒計(jì)。我們討論使用晶片的最終頻率調(diào)節(jié)背板。以秒計(jì)。四、我們簡(jiǎn)單討論一下將諧振器最終組裝成它的 包裹。最后，在秒。我們給一個(gè)電氣特性一瞥成品超微型石英晶體諧振器。

一個(gè)典型的超小型AT blank大約3.50mm×0.63mm .因?yàn)檫@個(gè)小 尺寸，以獲得可接受的產(chǎn)品 產(chǎn)生2m數(shù)量級(jí)的公差必需的。雖然常規(guī)處理 技術(shù)無(wú)法滿足這一點(diǎn) 嚴(yán)格的公差要求，光刻工藝能夠維持 尺寸公差優(yōu)于1米.

光刻過程從 拋光石英晶片(1英寸×1英寸或更大)。 這些晶片被化學(xué)蝕刻成 預(yù)定頻率，清潔，和 用鉻薄膜金屬化 使用電子束真空沉積的金 系統(tǒng)。(其他金屬，如鋁或可以使用銀。)AT-strip模式是 使用光刻技術(shù)生成 掩模和雙對(duì)準(zhǔn)器 和底表面對(duì)齊 并同時(shí)曝光。水晶 然后電極和探針焊盤圖案被 由隨后的光掩模定義 一步。然后晶片在化學(xué)上變成金屬 和石英被蝕刻以形成單獨(dú)的ATstrips。最后，頂部和底部安裝使用aperture將焊盤連接在一起 掩模和薄膜金屬沉積[2]。

一旦光刻工藝被 完成，我們的晶圓包含125個(gè)個(gè)體超小型AT晶體諧振器 如圖2所示。每個(gè)諧振器都通過兩個(gè)與晶片物理連接 小的石英片也是電動(dòng)的 將諧振器連接到上的探針焊盤威化。這允許對(duì)以下各項(xiàng)進(jìn)行電氣測(cè)試每個(gè)諧振器仍然在晶片上。

而個(gè)體的頻率晶片上的陶瓷諧振器非常接近一個(gè)另一方面，變化可能多達(dá) 1%.這種變化歸因于晶片厚度的不均勻性 (楔入)和較小程度上的厚度不均勻性金屬化。

頻率的變化晶片上的諧振器在它的生產(chǎn)使得現(xiàn)在每個(gè)諧振器 高于期望的最終頻率。 然后，使用晶片背板，一層薄膜 金沉積在每個(gè)電極上諧振器把它們的頻率降低到 這個(gè)最終頻率[1]。

晶圓的用途和概念背板類似于通常的背板石英晶體諧振器在一個(gè) 封裝—通過以下方式控制頻率降低金的沉積。關(guān)鍵的區(qū)別在于 定位要精確得多 晶片背板系統(tǒng)。與封裝中已有的諧振器 回溯可以達(dá)到的精度 施加到諧振器的電壓受限于 諧振器可以達(dá)到的精度 放在包裝中(除非有圖像使用識(shí)別系統(tǒng))。與 諧振器仍在晶片上，位置 每個(gè)諧振器是固定的和已知的.

此外，雖然在這兩種情況下，黃金 沉積在諧振器的電極上 通過晶片中的一系列孔 背板，暴露 諧振器對(duì)金噴霧的電極是 它本身是一個(gè)石英晶片與石英SMD晶體相同的過程 晶片并使用相同的掩模圖案 用于生成晶體晶片。 因此，尺寸和公差 孔徑晶片是晶體的孔徑晶片晶圓和兩者的對(duì)準(zhǔn)更好 超過25米。

作為每個(gè)諧振器在晶片是固定的和已知的，晶片背板系統(tǒng)可以探測(cè)每個(gè) 使用晶片上的探針焊盤的諧振器 然后自動(dòng)背板每個(gè) 單獨(dú)諧振器。

在晶片上的所有諧振器都被調(diào)整到所需的頻率，每個(gè)都是移除并安裝在陶瓷中 包裹。該操作是使用半自動(dòng)裝配設(shè)備 沖出去，拿起水晶 同時(shí)分配晶片 水晶封裝上的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂。 然后將晶體定位并放入 水晶封裝腔。(參見圖3。) 然后這個(gè)子組裝的SMD無(wú)源晶體使用匹配的玻璃密封 或陶瓷外殼。

回想一下，晶體的隔離模式是 在電學(xué)上模擬為電容C0 與串聯(lián)組合的并聯(lián) 電感L1、電容C1和 R1抵抗組織。主要區(qū)別在于 一個(gè)超微型AT晶體從它的大 弟兄會(huì)是一個(gè)更大的串聯(lián)電阻R1和 較小的串聯(lián)電容C1(都是由于 電極的面積越小[3])。在…里 表2我們給出了電氣參數(shù) 對(duì)于三種不同的CX-4 AT晶體頻率。使用這些值 對(duì)于他們更大的CX-1副本(未給出 這里)，我們發(fā)現(xiàn)R1大致是二比三 它的阻力是更大的CX一號(hào)的兩倍 而C1大約是一半 CX一號(hào)的三分之一。

如此小的晶體從某種意義上來說基模與在阻抗中可以看到其他模式圖4中超微型晶體的掃描。 在大約5%的頻帶中晶體的基頻只有a單個(gè)非簡(jiǎn)諧模式是可見的。這 mode的電阻足夠高離主模式足夠遠(yuǎn)(在 頻率)的影響可以忽略不計(jì)。