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進口溫補晶振大全,提供日本進口溫補節(jié)能改造-歐美進口溫補晶振!
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KDS晶振,DSB211SLB晶振,溫度補償晶振

KDS晶振,DSB211SLB晶振,溫度補償晶振

頻率:12.288~40M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB211SDT晶振,TCXO晶振

KDS晶振,DSB211SDT晶振,TCXO晶振

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB211SDM晶振,DSB211SDB晶振,溫補晶體振蕩器

KDS晶振,DSB211SDM晶振,DSB211SDB晶振,溫補晶體振蕩器

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSB211SCM晶振,溫補振蕩器

KDS晶振,DSB211SCM晶振,溫補振蕩器

頻率:12.288~52M...
尺寸:2.0×1.6mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應(yīng)回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求。

KDS晶振,DSS753SVD晶振,SPXO振蕩器

KDS晶振,DSS753SVD晶振,SPXO振蕩器

頻率:12~168MHz
尺寸:7.3×4.9mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

KDS晶振,DSS753SVC晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSS753SVC晶振,石英晶體振蕩器

頻率:12~168MHz
尺寸:7.3×4.9mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

KDS晶振,DSO1612AR晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO1612AR晶振,貼片晶振

頻率:0.584375~8...
尺寸:1.6×1.2mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

小體積有源石英晶體振蕩器,在生產(chǎn)時需要在完全凈化車間,在密封的機器設(shè)備中測良,封裝等技術(shù)1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

KDS晶振,DSO753SK晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO753SK晶振,貼片晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:7.3×4.9mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

KDS晶振,DSO753SJ晶振,日產(chǎn)進口有源晶振

KDS晶振,DSO753SJ晶振,日產(chǎn)進口有源晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO753SD晶振,普通有源晶振

KDS晶振,DSO753SD晶振,普通有源晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO753HV晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO753HV晶振,有源晶振

頻率:170~230MHz
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

KDS晶振,DSO753HK晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO753HK晶振,石英晶體振蕩器

頻率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO753HJ晶振,石英晶體振蕩器

頻率:212.5~350M...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO751SR晶振,石英晶體振蕩器

KDS晶振,DSO751SR晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.2~167MHz
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,貼片有源晶振

KDS晶振,DSO751SBM/SBN/SVN晶振,貼片有源晶振

頻率:0.7~90MHz
尺寸:4.9×7.3mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO533SK晶振,貼片晶振

KDS晶振,DSO533SK晶振,貼片晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

KDS晶振,DSO533SJ晶振,有源晶振

頻率:13.5~212.5...
尺寸:5.0×3.2mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

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