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ILSI晶振,溫補晶振,I731晶振

頻率：10-27.0MHZ

尺寸：5.0*7.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-29952551

ILSI晶振,溫補晶振,I731晶振，7050mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
壓電石英晶振主要是利用石英材料（水晶）的壓電效應(yīng)制成的電子原件和器件，壓電效應(yīng)是一種機電能量互換的現(xiàn)象，壓電效應(yīng)分為正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)，正壓電效應(yīng)是以機械應(yīng)力及，應(yīng)變（形變）作用而使物體產(chǎn)生電荷或電壓輸出。逆壓電效應(yīng)是以電能輸入使之產(chǎn)生機械能或，位移（形變）的輸出。如果把交變電壓施加到石英晶振芯片兩個電極之間，當交變電壓的頻率與石英晶振芯片固有頻率一致時，通過逆壓電效應(yīng)，芯片便產(chǎn)生機械振動，同時又通過正壓電效應(yīng)而輸出電信號。石英晶振材料的壓電效應(yīng)是有方向性的，只有在電軸方向才具有壓電效應(yīng)。石英有天然自然的結(jié)晶體，也有人工制造的結(jié)晶體。天然石英和人造石英均為多面體形狀。目前電子元器件使用的主要是人造石英材料。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10-27.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF to 32pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

智能手機晶振,7050晶振,I731晶振

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。智能手機晶振,7050晶振,I731晶振

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻，其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：智能手機晶振,7050晶振,I731晶振

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點到振蕩的停止點調(diào)整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。

如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的晶振。

使用光盤和CG的不等價的設(shè)計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當有信號輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅(qū)動后端電路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應(yīng)用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運行，因為石英晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

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ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低小型家電產(chǎn)品貼片晶振對環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,產(chǎn)品同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.
ILSI晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項,也根據(jù)需要自主性的制定基準,通過持續(xù)性的展開環(huán)?；顒觼眍A(yù)防污染。在設(shè)定環(huán)保目的與目標展開活動的同時,定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?；顒拥乃?。

ILSI晶振通過與地區(qū)的交流及社會貢獻活動，為地區(qū)的環(huán)保做貢獻。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色高品質(zhì)晶振產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.智能手機晶振,7050晶振,I731晶振

勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關(guān)注焦點,如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保差分輸出壓控晶振工作場所安全、實施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向,公司于2008年12月ILSI晶振,溫補晶振,I731晶振