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進口溫補晶振大全,提供日本進口溫補節(jié)能改造-歐美進口溫補晶振!
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ILSI晶振,壓控晶振,I616晶振

頻率:180-750MHZ

尺寸:14.3*10.2mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.


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ILSI晶振,壓控晶振,I616晶振小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應8.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

     有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術:有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

ILSI晶振

單位

晶振參數

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

180-750MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-50°C to +150°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C

標準溫度

激勵功率

DL

100 µW Max

推薦:1μW ~ 100μW

頻率公差

f_— l

±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.wwwv2ba.com/

頻率溫度特征

f_tem

±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF to 32pF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +125°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

有源晶振,低消耗晶振,I616晶振

1.DIP 產品

已變形的石英晶振引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力,以免引腳變形。

2.SOJ 產品和SOP 產品

請勿施加過大壓力,以免石英晶振引腳變形。已變形的石英晶振引腳焊接時會造成浮起。尤其是SOP產品需要更加小心處理。有源晶振,低消耗晶振,I616晶振

3.超聲波清洗

(1)使用AT-切割晶體和表面濾波器波(SAW)/聲表面諧振器的產品,可以通過超聲波進行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。

(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞。有源晶振,低消耗晶振,I616晶振

(3)請勿清洗開啟式晶振產品

(4)對于可清洗貼片晶振產品,應避免使用可能對產品產生負面影響的清洗劑或溶劑等。

(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現象。這將會負面影響產品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。

ILSI晶振,壓控晶振,I616晶振

       ILSI晶振公司將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放。我們將在關注于預防環(huán)境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們壓控石英晶體振蕩器的操作。我公司將積極參與加強公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。

ILSI晶振所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。

消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少廢物的產生和排放,有效的使用壓控晶振能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應。有源晶振,低消耗晶振,I616晶振

對我們的產品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,大體積石英晶體振蕩器幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。

ILSI晶振,壓控晶振,I616晶振

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