當(dāng)前位置：首頁(yè) » 進(jìn)口晶振 » ILSI晶振 » ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I538晶振

prevnext

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I538晶振

頻率：8-40.0MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-29952551

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I538晶振，超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振頻率穩(wěn)定度：關(guān)鍵參數(shù)，我們的高端晶振可以達(dá)到10-9級(jí)別。指在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，與標(biāo)稱(chēng)頻率允許的偏差，用PPm（百萬(wàn)分之一）表示。一般來(lái)說(shuō)，晶振穩(wěn)定度越高或溫度范圍越寬，價(jià)格越高。對(duì)于頻率穩(wěn)定度要求±20ppm或以上的應(yīng)用，可使用普通無(wú)補(bǔ)償?shù)?a href="http://www.wwwv2ba.com/support.html" title="石英晶體振蕩器" target="_blank">石英晶體振蕩器。對(duì)于介于±1 至±20ppm 的穩(wěn)定度，應(yīng)該考慮溫補(bǔ)晶振TCXO 。對(duì)于低于±1ppm 的穩(wěn)定度，應(yīng)該考慮恒溫晶振OCXO。如果客戶(hù)有十分特別的頻穩(wěn)要求，我們可根據(jù)客戶(hù)要求參數(shù)定做。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8-40.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF to 32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

溫補(bǔ)晶振,壓電石英晶振,I538晶振

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，諧振點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn)：溫補(bǔ)晶振,壓電石英晶振,I538晶振

方法1：降低產(chǎn)品線(xiàn)路外部電容（Cd和CG）的值，并通過(guò)石英晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。

方法2：采用小電阻（RR）的晶體。

方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。溫補(bǔ)晶振,壓電石英晶振,I538晶振

我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本，保證安全。請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體，以確保經(jīng)調(diào)整頻率貼片晶振仍然滿(mǎn)足原說(shuō)明書(shū)后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn)。如果頻率不符合規(guī)格，請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率。請(qǐng)采用晶振具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率，反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作，由于輸出頻率會(huì)偏差很大。

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I538晶振

ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低進(jìn)口晶振對(duì)環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,產(chǎn)品同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).
ILSI晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過(guò)持續(xù)性的展開(kāi)環(huán)?；顒?dòng)來(lái)預(yù)防污染。在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?；顒?dòng)的水平。

ILSI晶振通過(guò)與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng)，為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色3225mm體積貼片晶振產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.溫補(bǔ)晶振,壓電石英晶振,I538晶振

勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國(guó)及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保小型普通有源晶振工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I538晶振