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ILSI晶振,壓控晶振,I202晶振

頻率：1-51.84MHZ

尺寸：20.7-12.6mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產(chǎn)品需要.

訂購熱線：0755-29952551

ILSI晶振,壓控晶振,I202晶振，20.7*12.6mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質地輕.產(chǎn)品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

隨著時間的推移，頻率值隨著晶振變化的大小，貼片晶振有年老化和日老化兩種指標。高精度恒溫晶振（OCXO）可以達到10-8 ppm/年。以上是選型時工程師應考慮的晶振參數(shù)，前5個參數(shù)一般就能選出相對應的石英晶振型號。壓控晶體振蕩器是通過調(diào)節(jié)（控制腳）電壓，使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器，主要是通過變?nèi)荻O管（Vd）的電容的變化，使晶體諧振器的振蕩頻率發(fā)生變化。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	1-51.84MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.wwwv2ba.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF to 32pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值。當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據(jù)規(guī)范的負載阻抗。低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振

輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗石英晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

機械處理

當貼片晶振發(fā)生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產(chǎn)品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振

如果一個強大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點。

ILSI晶振,溫補晶振,I202晶振

ILSI晶振集團運用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進行環(huán)境管理，盡最大可能減小業(yè)務活動對環(huán)境造成的負擔，并通過業(yè)務發(fā)展推進環(huán)境改善。

ILSI晶振遵守所有適用的有關環(huán)境、健康和安全的有源晶振法律和法規(guī)以及CTS晶振集團自己的有關環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾。

各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內(nèi)領先、國際先進水平。實施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標。

將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進、污染預防和員工的大體積壓控晶振努力納入日常運行當中。加強污染防治，減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染。低消耗晶振,I202晶振,DIP晶振

ILSI晶振集團為超小型壓控晶振確保安全、提高保護預防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全，確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性，通過正式的管理評審和對健康、安全和環(huán)境實施效果的持續(xù)改進，保護人群及財產(chǎn)與環(huán)境。

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