隨著超過(guò)一億的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備出貨量落后于我們，根本原因現(xiàn)在已經(jīng)眾所周知。為了節(jié)省電力，IC 設(shè)計(jì)人員降低了驅(qū)動(dòng) 32.768kHz 石英晶體的皮爾斯振蕩器的跨導(dǎo) (gm)。通過(guò)減小 gm，電路的驅(qū)動(dòng)力不可避免地被削弱了。皮爾斯振蕩器最終會(huì)在驅(qū)動(dòng)具有較重電容負(fù)載的傳統(tǒng)電鍍SMD無(wú)源晶體時(shí)遇到麻煩。新的低功耗 MCU 可能會(huì)在驅(qū)動(dòng)幾個(gè)額外的皮法電容時(shí)遇到麻煩。額外的負(fù)載限制了設(shè)計(jì)中的余量，尤其是在考慮所有工藝角和整個(gè)工作溫度范圍時(shí)。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

2012 年，大多數(shù)32.768K音叉晶體經(jīng)過(guò)鍍層后的 CL 約為 9pF。傳統(tǒng)上，皮爾斯振蕩器電路的 gm 可以克服這種電鍍負(fù)載并維持振蕩，但這一切都改變了。MCU 現(xiàn)在需要鍍層負(fù)載遠(yuǎn)低于以往設(shè)想的晶體。解決方案是采用新的電鍍?cè)O(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn) 6pF 的 CL，降低 33%。

等效串聯(lián)電阻 (ESR) 和并聯(lián)電容 (C0) 的組合也影響了皮爾斯振蕩器感知的負(fù)載。ESR 和 C0 必須與 CL 一起同時(shí)降低?？紤]到 ESR 和 CL 是石英電鍍?cè)O(shè)計(jì)中唯一可優(yōu)化的參數(shù)，執(zhí)行新的低負(fù)載水平需要先進(jìn)的工程和世界級(jí)的制造。嚴(yán)格的要求迫使許多供應(yīng)商避免變更或冒險(xiǎn)失敗。由于晶體與 MCU 的 Pierce 振蕩器之間的不匹配，可穿戴設(shè)備行業(yè)即將面臨危機(jī)——很明顯，現(xiàn)有無(wú)源晶振并未針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3