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石英晶振參數(shù)術語表和規(guī)格指南

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掃一掃!石英晶振參數(shù)術語表和規(guī)格指南掃一掃!
瀏覽:- 發(fā)布日期:2018-12-11 10:39:55【
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  石英晶振是我們生活中隨處可見,并且隨身攜帶著的.為何會如此說呢,只因為但凡電子產(chǎn)品都需要用到晶振這塊,無論是音箱,手機,電器等,無一不是.既然是那么常用的電子元件,就忍不住問了,你們對它的一些參數(shù)詞,技術用語是否了解呢?該篇文章龍湖電子帶您了解一下.

  下面我們簡要說明在描述石英晶體規(guī)格時使用的更流行的術語.

水晶參數(shù)詞匯表

頻率

  晶振的標稱頻率.對于小于1.0MHz的頻率,這以千赫茲(kHz)表示,對于1.0MHz及以上的頻率,以兆赫茲(MHz)表示.頻率可以指定為七位有效數(shù)字.如果指定less,那么我們可以假設隨后的任何數(shù)字為零.

校準公差

  也稱為調(diào)整公差.這以百萬分率(ppm)表示,通常在25°C(室溫)下.

溫度穩(wěn)定性

  工作溫度范圍內(nèi)的頻率偏差(ppm).晶體坯料的切割類型和切割角度會影響晶體在溫度范圍內(nèi)的表現(xiàn).切割類型(SL,DT,AT等)將主要由指定的頻率決定.精確的切割角度將由指定的穩(wěn)定性和工作溫度范圍決定.

工作溫度范圍

  這是指定溫度穩(wěn)定性的溫度范圍,單位為°C.大多數(shù)類型的貼片晶振將在更寬的范圍內(nèi)工作,但穩(wěn)定性可能不在指定值范圍內(nèi).這個更寬的范圍稱為可操作溫度范圍.

存儲溫度范圍

  晶體可以在沒有損壞的情況下儲存的溫度范圍,即一旦恢復到其可操作的溫度范圍內(nèi),它將恢復正常運行.

等效串聯(lián)電阻(ESR)

  對于設計為串聯(lián)諧振的晶體單元,當在指定的晶體阻抗表中工作時,ESR是器件的等效歐姆電阻,調(diào)節(jié)到額定驅(qū)動電平并調(diào)諧到指定的晶振頻率.

負載電容(CL)

  這是一個外部電容,它設定石英晶體諧振器的電抗曲線上的一個點.以這種方式使用的晶體被稱為“并聯(lián)諧振”.或者,可以在它們的電抗為零或接近零的點使用晶體,這些被稱為“串聯(lián)諧振”.

分流電容(C0)

  電極,支架和引線的“靜態(tài)容量”或分流能力.它通常用不接地的情況來測量.

老化

  晶體頻率將在一段時間內(nèi)發(fā)生變化,變化量取決于許多因素.最大的變化發(fā)生在前六十天內(nèi).通常情況下,電阻焊晶體在第一年中最大衰減±3ppm,在隨后的每一年中減少50%~70%.

如DST310S晶振

KDS晶振規(guī)格

單位

DSX310S晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

32.768KHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標準溫度

激勵功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW~100μW

頻率公差

f_— l


±50 × 10-6 (標準),

(±15 × 10-6 ~±50 × 10-6 可用)



+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,

請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,


頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C~+70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

7pF~∞

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

晶振規(guī)格指南

規(guī)范代碼

  為了簡明扼要地表達正常參數(shù),我們使用表格的標準符號:

A/B/C/DE

哪里:

A=校準公差,以百萬分率(ppm)表示

  例如.30/50/三十零分之十-F表示具有±30ppm的校準容差的32.768K

B=溫度范圍內(nèi)的溫度穩(wěn)定性,以百萬分率(ppm)表示

  例如.30/50/10/30F表示與石英晶體振蕩器隨溫度范圍內(nèi)為±50ppm

C=工作溫度范圍的負端,通常在+25°C左右對稱

0=0至+50°C

10=-10至+60°C

20=-20至+70°C

30=-30至+80°C

40=-40至+90°C

55=-55至+105℃

例如.30/50/10/30-F表示操作溫度范圍-10+60℃

  如果工作溫度范圍在+25°C左右不對稱,我們將指定上限和下限,即'-55+125'.通過在此顯示烤箱溫度和溫度穩(wěn)定性的數(shù)字'00'表示過度結(jié)晶.

D=電路條件

數(shù)字=并聯(lián)諧振,負載電容為pF.

SR=系列共振.

例如.五十零分之三十〇/10/30-F表示30pF的負載電容

E=晶體的操作模式

F=基本模式

3=第三泛音

5=第五泛音

7=第七泛音模式

9=第九泛音模式

例如.30/50/10/30-F表示基本模式

頻率和支架樣式與C1,C0,L1等特殊參數(shù)分開顯示.

FA2016AA

其他例子

  30/50/10/30-F表示校準公差為±30ppm的32.768K晶振,在-10+60°C的溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)定性為±50ppm,負載電容為30pF,在基本模式下工作.

  05/10/20/SR-3表示具有±5ppm校準公差的晶體,在-20+70°C的溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)定性為±10ppm,串聯(lián)諧振并在第三泛音模式下工作.

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