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歡迎光臨深圳市火運電子有限公司!石英晶振是我們生活中隨處可見,并且隨身攜帶著的.為何會如此說呢,只因為但凡電子產(chǎn)品都需要用到晶振這塊,無論是音箱,手機,電器等,無一不是.既然是那么常用的電子元件,就忍不住問了,你們對它的一些參數(shù)詞,技術用語是否了解呢?該篇文章龍湖電子帶您了解一下.
下面我們簡要說明在描述石英晶體規(guī)格時使用的更流行的術語.
水晶參數(shù)詞匯表
頻率
晶振的標稱頻率.對于小于1.0MHz的頻率,這以千赫茲(kHz)表示,對于1.0MHz及以上的頻率,以兆赫茲(MHz)表示.頻率可以指定為七位有效數(shù)字.如果指定less,那么我們可以假設隨后的任何數(shù)字為零.
校準公差
也稱為調(diào)整公差.這以百萬分率(ppm)表示,通常在25°C(室溫)下.
溫度穩(wěn)定性
工作溫度范圍內(nèi)的頻率偏差(ppm).晶體坯料的切割類型和切割角度會影響晶體在溫度范圍內(nèi)的表現(xiàn).切割類型(SL,DT,AT等)將主要由指定的頻率決定.精確的切割角度將由指定的穩(wěn)定性和工作溫度范圍決定.
工作溫度范圍
這是指定溫度穩(wěn)定性的溫度范圍,單位為°C.大多數(shù)類型的貼片晶振將在更寬的范圍內(nèi)工作,但穩(wěn)定性可能不在指定值范圍內(nèi).這個更寬的范圍稱為可操作溫度范圍.
存儲溫度范圍
晶體可以在沒有損壞的情況下儲存的溫度范圍,即一旦恢復到其可操作的溫度范圍內(nèi),它將恢復正常運行.
等效串聯(lián)電阻(ESR)
對于設計為串聯(lián)諧振的晶體單元,當在指定的晶體阻抗表中工作時,ESR是器件的等效歐姆電阻,調(diào)節(jié)到額定驅(qū)動電平并調(diào)諧到指定的晶振頻率.
負載電容(CL)
這是一個外部電容,它設定石英晶體諧振器的電抗曲線上的一個點.以這種方式使用的晶體被稱為“并聯(lián)諧振”.或者,可以在它們的電抗為零或接近零的點使用晶體,這些被稱為“串聯(lián)諧振”.
分流電容(C0)
電極,支架和引線的“靜態(tài)容量”或分流能力.它通常用不接地的情況來測量.
老化
晶體頻率將在一段時間內(nèi)發(fā)生變化,變化量取決于許多因素.最大的變化發(fā)生在前六十天內(nèi).通常情況下,電阻焊晶體在第一年中最大衰減±3ppm,在隨后的每一年中減少50%~70%.
如DST310S晶振
KDS晶振規(guī)格 |
單位 |
DSX310S晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ~±50 × 10-6 可用)
|
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
7pF~∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
晶振規(guī)格指南
規(guī)范代碼
為了簡明扼要地表達正常參數(shù),我們使用表格的標準符號:
A/B/C/DE
哪里:
A=校準公差,以百萬分率(ppm)表示
例如.30/50/三十零分之十-F表示具有±30ppm的校準容差的32.768K
B=溫度范圍內(nèi)的溫度穩(wěn)定性,以百萬分率(ppm)表示
例如.30/50/10/30F表示與石英晶體振蕩器隨溫度范圍內(nèi)為±50ppm
C=工作溫度范圍的負端,通常在+25°C左右對稱
0=0至+50°C
10=-10至+60°C
20=-20至+70°C
30=-30至+80°C
40=-40至+90°C
55=-55至+105℃
例如.30/50/10/30-F表示操作溫度范圍-10+60℃
如果工作溫度范圍在+25°C左右不對稱,我們將指定上限和下限,即'-55+125'.通過在此顯示烤箱溫度和溫度穩(wěn)定性的數(shù)字'00'表示過度結(jié)晶.
D=電路條件
數(shù)字=并聯(lián)諧振,負載電容為pF.
SR=系列共振.
例如.五十零分之三十〇/10/30-F表示30pF的負載電容
E=晶體的操作模式
F=基本模式
3=第三泛音
5=第五泛音
7=第七泛音模式
9=第九泛音模式
例如.30/50/10/30-F表示基本模式
頻率和支架樣式與C1,C0,L1等特殊參數(shù)分開顯示.
其他例子
30/50/10/30-F表示校準公差為±30ppm的32.768K晶振,在-10+60°C的溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)定性為±50ppm,負載電容為30pF,在基本模式下工作.
05/10/20/SR-3表示具有±5ppm校準公差的晶體,在-20+70°C的溫度范圍內(nèi)溫度穩(wěn)定性為±10ppm,串聯(lián)諧振并在第三泛音模式下工作.